| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-30页 |
| ·稀磁半导体简介 | 第16-18页 |
| ·自旋电子学 | 第16页 |
| ·稀磁半导体定义及研究意义 | 第16-18页 |
| ·ZnO简介 | 第18-19页 |
| ·ZnO基稀磁半导体的研究进展 | 第19-24页 |
| ·Mn掺杂ZnO | 第19-21页 |
| ·Co掺杂ZnO | 第21-23页 |
| ·Ni掺杂的ZnO | 第23-24页 |
| ·Cr掺杂的ZnO | 第24页 |
| ·ZnO基稀磁半导体磁性机制 | 第24-27页 |
| ·RKKY理论 | 第24-25页 |
| ·平均场理论 | 第25-26页 |
| ·载流子调节的双交换理论 | 第26页 |
| ·BMP理论 | 第26-27页 |
| ·本文的选题依据及主要研究内容 | 第27-30页 |
| ·选题依据 | 第27-28页 |
| ·研究内容 | 第28-30页 |
| 第二章 材料制备方法及表征手段 | 第30-40页 |
| ·ZnO基稀磁半导体薄膜的制备 | 第30-33页 |
| ·溅射法 | 第30-31页 |
| ·实验设备主要技术参数 | 第31-32页 |
| ·Zn_(1-X)Co_XO薄膜的制备 | 第32-33页 |
| ·ZnO基稀磁半导体粉体的制备 | 第33-36页 |
| ·水热法 | 第33-34页 |
| ·实验原料及设备 | 第34-35页 |
| ·Zn_(1-X)Cr_XO粉体的制备 | 第35-36页 |
| ·Zn_(1-X)Ni_XO样品制备 | 第36页 |
| ·ZnO基稀磁半导体薄膜的检测方法 | 第36-40页 |
| ·X射线衍射仪(XRD) | 第36-37页 |
| ·场发射扫描电子显微镜(FESEM) | 第37页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS) | 第37页 |
| ·量子干涉磁强计(SQUID) | 第37-38页 |
| ·振动样品磁强计(VSM) | 第38页 |
| ·紫外分光光度计 | 第38-39页 |
| ·光致发光(PL)光谱 | 第39页 |
| ·Raman谱 | 第39-40页 |
| 第三章 Zn_(1-X)Co_XO稀磁半导体薄膜的制备、结构与性能研究 | 第40-63页 |
| ·Zn_(0.95)Co_(0.05)O薄膜结构与性能 | 第40-49页 |
| ·工作气压和气体分压的选择 | 第40-42页 |
| ·沉积温度对样品结构与性能影响 | 第42-47页 |
| ·退火温度对样品结构与形貌影响 | 第47-49页 |
| ·Zn_(0.85)Co_(0.15)O薄膜的结构与性能 | 第49-52页 |
| ·工作气压和气体分压的选择 | 第49-50页 |
| ·沉积温度对样品结构与性能影响 | 第50-52页 |
| ·Co-N共掺杂ZnO稀磁半导体薄膜制备、结构及磁性分析 | 第52-61页 |
| ·Co-N共掺杂ZnO薄膜的结构与形貌分析 | 第53-56页 |
| ·磁性分析 | 第56-59页 |
| ·光学分析 | 第59-61页 |
| ·本章小结 | 第61-63页 |
| 第四章 Zn_(1-x)Cr_XO纳米材料的生长及性能研究 | 第63-72页 |
| ·反应温度对Zn_(1-X)Cr_XO结构与形貌的影响 | 第63-65页 |
| ·反应时间对Zn_(1-X)Cr_XO结构与形貌的影响 | 第65-66页 |
| ·Cr掺杂量对Zn_(1-X)Cr_XO结构与形貌的影响 | 第66-68页 |
| ·不同Cr掺杂量的Zn_(1-X)Cr_XO样品的磁性与发光性能 | 第68-70页 |
| ·本章小结 | 第70-72页 |
| 第五章 Zn_(1-X)Ni_XO纳米材料制备、结构及性能研究 | 第72-79页 |
| ·反应时间对Zn_(1-X)Ni_XO结构与形貌影响 | 第72-75页 |
| ·CTAB浓度对Zn_(1-X)Ni_XO结构与形貌影响 | 第75-76页 |
| ·Zn_(1-x)Ni_xO样品的磁性能 | 第76-78页 |
| ·本章小结 | 第78-79页 |
| 第六章 结论 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-84页 |
| 致谢 | 第84-85页 |
| 研究成果及发表的学术论文 | 第85-86页 |
| 作者简介及导师简介 | 第86页 |
