| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 引言 | 第7-16页 |
| 1-1 半导体中的杂质能级 | 第7-9页 |
| 1-1-1 半导体中杂质能级的形成和作用 | 第7-9页 |
| 1-1-2 半导体中杂质能级的测量手段 | 第9页 |
| 1-2 用导纳谱对半导体中深能级的测量 | 第9-12页 |
| 1-2-1 对深能级杂质的测量及原理 | 第9-11页 |
| 1-2-2 对量子阱、量子点的激活能的测量 | 第11-12页 |
| 1-3 用导纳谱对半导体浅能级的测量与问题 | 第12-13页 |
| 1-4 本文的研究内容 | 第13页 |
| 1-5 本文的基本结构 | 第13-14页 |
| 参考文献 | 第14-16页 |
| 第二章 导纳谱测量的样品制备和实验装置 | 第16-22页 |
| 2-1 电容与电导的测量原理 | 第16-17页 |
| 2-2 CV测试(Capacitance-Voltage Spectroscopy) | 第17-18页 |
| 2-3 导纳谱测试(Admittance Spectroscopy) | 第18-20页 |
| 2-4 样品电极的简单制备 | 第20-21页 |
| 参考文献 | 第21-22页 |
| 第三章 导纳谱应用于测量半导体中浅能级的理论模拟计算 | 第22-42页 |
| 3-1 半导体肖特基势垒和体材料随温度的变化情况 | 第22-26页 |
| 3-1-1 费米能级随温度的变化 | 第22-23页 |
| 3-1-2 电离浅杂质浓度随温度的变化 | 第23-24页 |
| 3-1-3 体电阻随温度的变化 | 第24-25页 |
| 3-1-4 肖特基势垒宽度随温度和偏压的变化 | 第25-26页 |
| 3-2 导纳谱的模拟 | 第26-37页 |
| 3-2-1 肖特基势垒电容的计算 | 第27-34页 |
| 3-2-2 衬底电阻的计算 | 第34-37页 |
| 3-3 实验结果与分析 | 第37-40页 |
| 3-4 结论 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-42页 |
| 第四章 导纳谱应用于测量半导体中浅能级的塞曼效应 | 第42-55页 |
| 4-1 硅中硼能级的研究 | 第42-47页 |
| 4-1-1 光学方法的测量结果 | 第42-44页 |
| 4-1-2 磁场下价带的变化情况 | 第44-45页 |
| 4-1-3 磁场下浅能级的变化情况 | 第45-46页 |
| 4-1-4 导纳谱分析方法 | 第46-47页 |
| 4-2 实验结果与分析 | 第47-53页 |
| 4-2-1 费米能级的计算 | 第47-48页 |
| 4-2-2 硼掺杂浓度的计算 | 第48-49页 |
| 4-2-3 磁场下导纳谱的分析 | 第49-53页 |
| 4-4 结论 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-55页 |
| 第五章 全文总结 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 附录:导纳谱模拟的程序代码 | 第57-64页 |
