| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-20页 |
| ·研究目的及意义 | 第9-10页 |
| ·GaN 材料的基本特性及器件研究 | 第10-17页 |
| ·GaN 的基本性质 | 第10-12页 |
| ·GaN 材料的生长 | 第12-14页 |
| ·GaN 基器件的研究 | 第14-17页 |
| ·GaN 材料的缺陷 | 第17-18页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第18-20页 |
| 第二章 实验 | 第20-30页 |
| ·实验样品制备 | 第20页 |
| ·主要实验手段 | 第20-30页 |
| ·高分辨X 射线衍射技术 | 第20-23页 |
| ·透射电子显微镜技术 | 第23-26页 |
| ·光致发光技术 | 第26-30页 |
| 第三章 GaN LED 外延片的 X 射线衍射分析 | 第30-47页 |
| ·引言 | 第30页 |
| ·实验仪器及条件 | 第30页 |
| ·外延应变测定及结构表征 | 第30-47页 |
| ·GaN 薄膜外延应变的绝对测量 | 第30-33页 |
| ·GaN 薄膜的Ф扫描 | 第33-34页 |
| ·GaN薄膜的镜面反射 | 第34-36页 |
| ·GaN 薄膜镶嵌结构的测量 | 第36-41页 |
| ·GaN LED 外延片的超晶格结构 | 第41-47页 |
| 第四章 GaN LED 外延片的透射电镜分析 | 第47-51页 |
| ·引言 | 第47页 |
| ·TEM 横断面试样的制备 | 第47-48页 |
| ·样品切割 | 第47页 |
| ·机械减薄 | 第47-48页 |
| ·钉薄 | 第48页 |
| ·离子减薄 | 第48页 |
| ·TEM 成像及结果分析 | 第48-51页 |
| ·TEM 成像条件设定 | 第48页 |
| ·成像结果及分析 | 第48-51页 |
| 第五章 GaN LED 发光二极管的性能研究 | 第51-56页 |
| ·GaN LED 芯片制作 | 第51-53页 |
| ·GaN LED 的电学性能 | 第53-54页 |
| ·GaN LED 的发光性能 | 第54-55页 |
| ·小结 | 第55-56页 |
| 第六章 结论 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第61-62页 |