硫系相变型半导体存储材料的制备与表征
| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-29页 |
| ·相变型半导体存储器 | 第11页 |
| ·C-RAM的工作原理 | 第11-13页 |
| ·C-RAM研究历程 | 第13-14页 |
| ·C-RAM器件中的几个关键问题 | 第14-19页 |
| ·C-RAM的存储材料要求 | 第19-21页 |
| ·C-RAM的存储材料研究现状 | 第21-23页 |
| ·In-Ag-Sb-Te四元合金相变材料 | 第22页 |
| ·掺杂合金相变材料 | 第22-23页 |
| ·相变型半导体存储材料的制备方法 | 第23-27页 |
| ·热蒸发法 | 第23页 |
| ·溅射法 | 第23-24页 |
| ·固相微波合成法 | 第24-25页 |
| ·水热合成法 | 第25页 |
| ·模板法 | 第25-26页 |
| ·电化学沉积法 | 第26-27页 |
| ·本论文选题思想及研究内容 | 第27-29页 |
| 第二章 实验器材及方法 | 第29-32页 |
| ·实验设备 | 第29页 |
| ·制备方法 | 第29-30页 |
| ·实验材料 | 第29-30页 |
| ·制备 | 第30页 |
| ·材料表征 | 第30-31页 |
| ·材料热性能分析 | 第30-31页 |
| ·材料物相结构分析与微观形貌表征 | 第31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 SB-SE硫系化合物的制备和表征 | 第32-43页 |
| ·结果与讨论 | 第33-41页 |
| ·管壁产物形貌分析 | 第33-35页 |
| ·Sb_2Se_3微米管结构表征 | 第35-37页 |
| ·Sb-Se结晶块体结构表征 | 第37-38页 |
| ·热分析 | 第38-40页 |
| ·拉曼分析 | 第40-41页 |
| ·本章小结 | 第41-43页 |
| 第四章 SB-TE系材料的制备研究 | 第43-50页 |
| ·实验部分 | 第43-44页 |
| ·Sb-Te材料制备 | 第43-44页 |
| ·结果与讨论 | 第44-49页 |
| ·产物形貌分析 | 第44-46页 |
| ·结晶块体结构表征 | 第46-47页 |
| ·Sb-Te系合金DSC分析 | 第47-48页 |
| ·拉曼分析 | 第48-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第五章 GE-SB-TE系材料的制备研究 | 第50-55页 |
| ·实验部分 | 第50-51页 |
| ·Ge-Sb-Te材料制备 | 第50-51页 |
| ·表征及结果讨论 | 第51-54页 |
| ·Ge-Sb-Te相变材料的XRD研究结果 | 第51-52页 |
| ·Ge-Sb-Te系合金DSC分析 | 第52-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第六章 结论 | 第55-56页 |
| 第七章 展望 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
| 攻读硕士期间完成的学术论文 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61页 |
