| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| ·GaN 基材料外延膜的研究目的和意义 | 第10-11页 |
| ·纤锌矿GaN 材料的基本特性 | 第11-12页 |
| ·GaN 材料晶体结构 | 第11-12页 |
| ·GaN 材料物理、化学及电学性质 | 第12页 |
| ·GaN 薄膜材料的技术发展 | 第12-14页 |
| ·GaN 薄膜的外延生长 | 第12-13页 |
| ·GaN 外延膜的衬底选取 | 第13页 |
| ·GaN 的掺杂 | 第13-14页 |
| ·GaN 材料结构应变、电学性能表征及其发展 | 第14-15页 |
| ·本论文的选题依据和研究内容 | 第15-17页 |
| ·本文的选题依据 | 第15页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第15-17页 |
| 第二章 实验平台构建及测试原理 | 第17-26页 |
| ·X 射线衍射仪介绍 | 第17-19页 |
| ·X 射线源 | 第17页 |
| ·X 射线的平行化及单色化 | 第17-18页 |
| ·X 射线衍射仪简介 | 第18-19页 |
| ·半导体外延单晶薄膜的高分辨X 射线衍射表征方法及原理 | 第19-26页 |
| ·实空间的布拉格衍射基本原理 | 第19-20页 |
| ·X 射线衍射几种光路模式 | 第20-21页 |
| ·倒易空间的基本原理 | 第21-22页 |
| ·倒易空间的扫描模式 | 第22-23页 |
| ·倒易空间图（Reciprocal Space Mapping） | 第23页 |
| ·衍射实验的基本方法 | 第23-25页 |
| ·对称衍射（Symmetric Diffraction） | 第23-24页 |
| ·非对称衍射（Asymmetric Diffraction） | 第24页 |
| ·斜对称衍射（Skew Diffraction） | 第24-25页 |
| ·镜面反射与面内掠入射 | 第25-26页 |
| 第三章 GaN 异质外延膜应变分析及电学性能研究 | 第26-48页 |
| ·引言 | 第26页 |
| ·实验样品简介 | 第26-27页 |
| ·实验测试 | 第27页 |
| ·GaN 外延膜应变测试与分析 | 第27-32页 |
| ·外延膜晶胞参数的绝对测量 | 第27-31页 |
| ·GaN 外延膜应变分析及其变化 | 第31-32页 |
| ·GaN 外延膜的应变弛豫 | 第32-46页 |
| ·GaN 外延膜的镶嵌结构测量及其分布 | 第33-42页 |
| ·倾转角βt、扭转角α与亚晶粒尺寸 | 第34-36页 |
| ·镶嵌结构测试结果与分析 | 第36-39页 |
| ·位错密度测量 | 第39-40页 |
| ·GaN 外延膜位错分布 | 第40-42页 |
| ·GaN 外延膜错向角测试 | 第42-44页 |
| ·GaN 外延膜表面形貌与质量比较 | 第44-46页 |
| ·GaN 外延膜电学特性及应变间关系研究 | 第46页 |
| ·本章小节 | 第46-48页 |
| 第四章 Si 离子注入、退火GaN 外延膜结构及电学特性研究 | 第48-62页 |
| ·引言 | 第48页 |
| ·实验样品简介 | 第48-49页 |
| ·测试与分析 | 第49-61页 |
| ·GaN 外延膜晶胞参数的相对测量 | 第49-50页 |
| ·GaN 外延膜晶格应变分析 | 第50-52页 |
| ·离子注入及RTA 对外延膜损伤的影响 | 第52-55页 |
| ·GaN 外延膜PL 谱分析 | 第55-57页 |
| ·GaN 外延膜表面形貌 | 第57-59页 |
| ·GaN 外延膜电学性能分析 | 第59-61页 |
| ·小结 | 第61-62页 |
| 第五章 超晶格GaN 外延膜结构X 射线研究 | 第62-72页 |
| ·引言 | 第62页 |
| ·样品简介 | 第62-63页 |
| ·实验测试 | 第63页 |
| ·实验结果与分析 | 第63-71页 |
| ·AlGaN 外延膜X 射线衍射及Al 组分分析 | 第63-66页 |
| ·AlGaN/AlN SL（Super Lattice）结构参数分析 | 第66-67页 |
| ·AlGaN 外延膜应变及质量分析 | 第67-71页 |
| ·本章小节 | 第71-72页 |
| 第六章 主要结论与创新 | 第72-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-80页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第80-81页 |
