| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-24页 |
| ·铁电材料与铁电薄膜 | 第11-16页 |
| ·铁电材料的特性 | 第11-13页 |
| ·铁电材料的分类 | 第13-14页 |
| ·铁电材料的研究及现状 | 第14-16页 |
| ·Bi_4Ti_30_(12) 基系列层状铁电薄膜 | 第16-20页 |
| ·Bi_4Ti_30_(12) 基系列层状铁电材料的结构特征 | 第16-17页 |
| ·Bi_4Ti_30_(12) 基系列层状铁电薄膜的性能特征 | 第17-20页 |
| ·铁电/半导体异质结构的研究现状 | 第20-22页 |
| ·铁电/半导体集成研究的意义 | 第20-21页 |
| ·GaN 基铁电/半导体异质结构 | 第21-22页 |
| ·论文选题及研究方案 | 第22-24页 |
| 第二章 BTH 薄膜的制备工艺，微结构表征和电学性质测试 | 第24-34页 |
| ·制备BTH 薄膜PLD 系统简介 | 第24-27页 |
| ·薄膜微结构表征方法 | 第27-31页 |
| ·X-射线衍射分析 | 第27-28页 |
| ·原子力显微镜 | 第28-30页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第30-31页 |
| ·X 射线光电子能谱仪 | 第31页 |
| ·薄膜电学性质的测试方法 | 第31-34页 |
| ·薄膜的铁电性能测试 | 第31-32页 |
| ·薄膜的漏电流测试 | 第32-33页 |
| ·薄膜的介电常数测试 | 第33-34页 |
| 第三章 B 位等价Hf 掺杂对Bi_4Ti_30_(12) 铁电薄膜的结构及性能影响 | 第34-51页 |
| ·靶材的制备 | 第34-37页 |
| ·BTH 薄膜工艺参数的探索 | 第37-41页 |
| ·氧分压对BTH 薄膜的影响 | 第37-39页 |
| ·生长温度对BTH 薄膜的影响 | 第39-41页 |
| ·Hf 掺杂对Bi_4Ti_30_(12) 薄膜的结构和性能的作用 | 第41-50页 |
| ·薄膜的微结构分析 | 第41-45页 |
| ·薄膜的电学性能 | 第45-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第四章 BTH 薄膜性能各向异性特征的研究 | 第51-60页 |
| ·薄膜的制备 | 第51-52页 |
| ·薄膜的微结构分析 | 第52-56页 |
| ·XRD 分析 | 第52-56页 |
| ·AFM 表面微结构分析 | 第56页 |
| ·薄膜的各向异性特征 | 第56-58页 |
| ·P-E 电滞回线 | 第56-57页 |
| ·介电常数 | 第57-58页 |
| ·本章小结 | 第58-60页 |
| 第五章 BTH/GaN 异质结构的制备和电学性质 | 第60-69页 |
| ·薄膜的制备 | 第60-61页 |
| ·薄膜的微结构分析 | 第61-65页 |
| ·SRO/TiO_2 多层复合薄膜的微结构 | 第61-63页 |
| ·BTH 薄膜的微结构 | 第63-65页 |
| ·薄膜的电学性能 | 第65-67页 |
| ·铁电特性 | 第65-67页 |
| ·绝缘性能 | 第67页 |
| ·本章小结 | 第67-69页 |
| 第六章 结论 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-76页 |
| 作者攻硕期间取得的成果 | 第76-77页 |
