| 中文摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-31页 |
| ·InP 晶体概述 | 第9-11页 |
| ·InP 的基本性能 | 第11-15页 |
| ·国内外InP 单晶材料研究背景 | 第15-27页 |
| ·国外InP 单晶材料发展情况 | 第15-22页 |
| ·我国InP 单晶材料发展情况 | 第22-27页 |
| ·课题来源、选题意义 | 第27-30页 |
| ·课题来源 | 第27-28页 |
| ·选题意义 | 第28-30页 |
| ·本论文的内容和结构安排 | 第30-31页 |
| 第二章 InP 合成技术 | 第31-65页 |
| ·合成InP 多晶方法简介 | 第31-37页 |
| ·溶质扩散法合成（SSD） | 第31-32页 |
| ·水平布里奇曼法（HB）和水平梯度凝固法（HGF）合成 | 第32-35页 |
| ·直接合成法 | 第35-37页 |
| ·磷注入合成InP 多晶 | 第37-50页 |
| ·磷注入合成InP 原理 | 第37-43页 |
| ·磷注入合成方法 | 第43-50页 |
| ·大容量、快速磷注入合成InP 材料 | 第50-54页 |
| ·原材料 | 第50-52页 |
| ·实验 | 第52-54页 |
| ·影响磷注入合成速度和质量的工艺因素 | 第54-63页 |
| ·热场 | 第54-55页 |
| ·合成速度及温度的控制 | 第55-58页 |
| ·炉内压力的影响 | 第58-59页 |
| ·熔体化学计量比的控制 | 第59-60页 |
| ·合成的结果及分析 | 第60-63页 |
| ·结论 | 第63-65页 |
| 第三章 InP 单晶生长 | 第65-100页 |
| ·引言 | 第65页 |
| ·InP 单晶生长技术简介 | 第65-78页 |
| ·液封直拉(Liquid Encapsulated Czochralski,LEC)技术 | 第66-69页 |
| ·改进的LEC 法 | 第69页 |
| ·蒸气控制直拉(Vapour Control Czochralski,VCz)技术 | 第69-71页 |
| ·垂直梯度凝固(Vertical Gradient Freeze, VGF)和垂直布里奇曼(Vertical Bridgeman,VB)技术 | 第71-74页 |
| ·水平布里奇曼(Horizontal Bridgman,HB)技术、水平梯度凝固(Horizontal Gradient Freeze HGF)技术 | 第74-76页 |
| ·其他生长InP 单晶技术 | 第76-78页 |
| ·InP 大直径、长单晶生长研究 | 第78-99页 |
| ·研究内容 | 第78-80页 |
| ·实验条件和设计 | 第80-87页 |
| ·减少InP 单晶生长中孪晶的产生 | 第87-95页 |
| ·降低InP 单晶中的位错密度 | 第95-99页 |
| ·结论 | 第99-100页 |
| 第四章 熔体配比条件与InP 材料的缺陷特性 | 第100-117页 |
| ·引言 | 第100-101页 |
| ·实验 | 第101-102页 |
| ·结果与讨论 | 第102-116页 |
| ·室温和变温Hall 测试分析 | 第102-106页 |
| ·光致发光谱（PL）测试分析 | 第106-109页 |
| ·付立叶变换红外吸收谱(FT-IR)测试分析 | 第109-111页 |
| ·缺陷的形成与熔体化学计量比的关系 | 第111-113页 |
| ·熔体的化学计量比与晶体原生缺陷形成能的关系 | 第113-114页 |
| ·熔体化学计量比与V_(In)H_4 的浓度关系 | 第114-115页 |
| ·铟空位与氢复合体V_(In)H_4 对测试结果的影响 | 第115-116页 |
| ·结论 | 第116-117页 |
| 第五章 V_(In)H_4在InP 材料中的影响 | 第117-131页 |
| ·引言 | 第117-121页 |
| ·试验 | 第121-122页 |
| ·结果与讨论 | 第122-126页 |
| ·未掺杂LEC-InP 中的V_(In)H_4 | 第122-123页 |
| ·掺Fe 的LEC-InP 中的V_(In)H_4 | 第123-124页 |
| ·对n 型LEC-InP 电子特性的影响 | 第124-125页 |
| ·对掺Fe 的LEC-InP 补偿的影响 | 第125页 |
| ·对LEC-InP 材料热稳定性的影响 | 第125-126页 |
| ·结果分析和讨论 | 第126-129页 |
| ·结论 | 第129-131页 |
| 第六章 InP 基谐振隧穿器件及其集成技术初步研究 | 第131-145页 |
| ·谐振隧穿器件及其集成技术研究概述 | 第131-136页 |
| ·谐振隧穿器件 | 第131-132页 |
| ·HEMT | 第132-133页 |
| ·RTD 与HEMT 单片集成 | 第133-135页 |
| ·InP 基RTD/HEMT 单片集成研究 | 第135-136页 |
| ·材料结构设计 | 第136-139页 |
| ·材料结构列表 | 第136-137页 |
| ·材料的分子束外延 | 第137页 |
| ·版图设计 | 第137-139页 |
| ·RTD/HEMT 单片集成工艺介绍 | 第139页 |
| ·器件测试结果与分析 | 第139-145页 |
| ·芯片测试结果与分析 | 第139-144页 |
| ·说明 | 第144-145页 |
| 第七章 总结与展望 | 第145-148页 |
| ·论文总结 | 第145-146页 |
| ·进一步展望 | 第146-148页 |
| 参考文献 | 第148-161页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第161-164页 |
| 致谢 | 第164页 |
