| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 综述部分 | 第10-35页 |
| 第一章 半导体自旋电子学的研究与应用进展 | 第11-22页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·磁性半导体 | 第12-14页 |
| ·自旋的注入和检测 | 第14-16页 |
| ·欧姆式自旋注入 | 第14页 |
| ·隧道结自旋注入 | 第14-15页 |
| ·热电子自旋注入 | 第15页 |
| ·自旋的检测 | 第15-16页 |
| ·自旋的输运 | 第16-17页 |
| ·半导体电子自旋的控制和操纵 | 第17-18页 |
| ·结束语 | 第18页 |
| 参考文献 | 第18-22页 |
| 第二章 分子束外延 | 第22-35页 |
| ·引言 | 第22-23页 |
| ·分子束外延设备概述 | 第23-25页 |
| ·固态源III-V 族分子束外延材料生长机理 | 第25-27页 |
| ·分子束外延几个关键技术 | 第27-33页 |
| ·真空 | 第27-28页 |
| ·MBE 诊断和分析 | 第28-32页 |
| ·反射式高能电子衍射仪（RHEED） | 第28-31页 |
| ·四极质谱仪（QMS） | 第31-32页 |
| ·产业化 | 第32-33页 |
| 参考文献 | 第33-35页 |
| 实验部分 | 第35-65页 |
| 第三章 GaAs（110）衬底GaAs/AlGaAs 量子阱生长和自旋弛豫的研究 | 第36-45页 |
| ·引言 | 第36页 |
| ·实验 | 第36-39页 |
| ·结果与讨论 | 第39-41页 |
| ·总结 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-45页 |
| 第四章 GaAs（111）A 衬底GaAs/AlGaAs 量子阱生长的研究 | 第45-54页 |
| ·引言 | 第45-46页 |
| ·实验 | 第46-49页 |
| ·结果与讨论 | 第49-52页 |
| ·总结 | 第52页 |
| 参考文献 | 第52-54页 |
| 第五章 界面生长中断对GaAs (111)衬底上AlGaAs/GaAs 量子阱电子自旋寿命的影响 | 第54-65页 |
| ·引言 | 第54-55页 |
| ·实验 | 第55-58页 |
| ·结果与讨论 | 第58-62页 |
| ·总结 | 第62页 |
| Reference | 第62-65页 |
| 硕士期间发表论文 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
