| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-29页 |
| ·氮化镓材料的基本性质 | 第9-13页 |
| ·氮化镓材料的研究进展 | 第13-17页 |
| ·一维氮化镓纳米材料的生长工艺及研究概况 | 第17-26页 |
| ·本论文的选题依据 | 第26-29页 |
| 第二章 实验设备与测试方法 | 第29-35页 |
| ·实验设备 | 第29-31页 |
| ·实验中所使用的主要材料和试剂 | 第31-32页 |
| ·样品的测试和表征 | 第32-35页 |
| 第三章 在Ta中间层上合成一维GaN纳米结构 | 第35-49页 |
| ·氨化溅射Ga_2O_3薄膜合成一维GaN纳米结构 | 第35页 |
| ·合成的GaN纳米结构的特性分析 | 第35-41页 |
| ·影响一维GaN纳米结构的因素 | 第41-48页 |
| ·合成的GaN纳米结构的生长机制初探 | 第48-49页 |
| 第四章 结论 | 第49-53页 |
| ·本文的主要研究结果 | 第49-50页 |
| ·对今后工作的建议 | 第50-53页 |
| 参考文献 | 第53-62页 |
| 攻读硕士期间发表的论文统计 | 第62-66页 |
| 致谢 | 第66页 |