| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| ·论文研究的背景、目的和进展 | 第9-13页 |
| ·本论文的结构安排 | 第13-14页 |
| 参考文献 | 第14-17页 |
| 第二章 半导体量子结构材料及其生长的基本理论 | 第17-33页 |
| ·半导体异质外延材料和半导体量子点材料的概念 | 第17-21页 |
| ·半导体异质外延材料的基本理论知识 | 第17-20页 |
| ·半导体量子点材料的基本理论知识 | 第20-21页 |
| ·半导体异质外延材料和量子点的制备方法与生长理论 | 第21-27页 |
| ·半导体异质外延材料和量子点的制备方法 | 第21-23页 |
| ·半导体异质外延材料和量子点的生长理论 | 第23-25页 |
| ·S-K模式的生长机理 | 第25-27页 |
| ·影响量子点生长因素的分析 | 第27-30页 |
| ·本章总结 | 第30-31页 |
| 参考文献 | 第31-33页 |
| 第三章 半导体异质外延材料应变场分布的数值分析 | 第33-50页 |
| ·有限元法介绍 | 第33-35页 |
| ·半导体异质外延材料的应变场 | 第35-41页 |
| ·In_xGa_(1-x)As/GaAS异质外延材料应变场的数值分析 | 第41-45页 |
| ·半导体量子点的应变场理论 | 第42-44页 |
| ·In_(0.5)Ga_(0.5)As/GaAs纳米材料应变场理论模型及数值分析 | 第44-45页 |
| ·In_(0.5)Ga_(0.5)As/GaAs模型中不同衬底高度对应力、应变的影响 | 第45-47页 |
| ·In_xGa_(1-x)As/GaAs不同外延层材料的应力分布 | 第47页 |
| ·本章总结 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-50页 |
| 第四章 半导体量子点材料应变场的应变弛豫数值分析 | 第50-59页 |
| ·量子点材料应变场及弛豫的理论基础和理论模型 | 第50-53页 |
| ·量子点材料应变弛豫的数值计算 | 第53-57页 |
| ·平顶金字塔形量子点应变能的数值计算 | 第53页 |
| ·不同形状不同高宽比下量子点应变能数值计算 | 第53-56页 |
| ·量子点弛豫度的计算分析 | 第56-57页 |
| ·本章总结 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-59页 |
| 第五章 后续工作及展望 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第61页 |
