| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·GaN基半导体材料的优势及研究意义 | 第7-8页 |
| ·AlGaN/GaN异质结构材料的研究及问题 | 第8-9页 |
| ·AlInGaN/GaN异质结构材料的研究及现状 | 第9-11页 |
| ·本论文的研究内容和安排 | 第11-13页 |
| 第二章 AlInGaN/GaN异质结构的理论分析与设计 | 第13-31页 |
| ·AlInGaN/GaN异质结构分析的物理模型 | 第13-17页 |
| ·AlIn(Ga)N三元（四元）合金的物理参数模型 | 第13-14页 |
| ·AlIn(Ga)N/GaN异质结构中二维电子气面电子密度的解析模型 | 第14-15页 |
| ·AlIn(Ga)N/GaN异质结构能带和载流子分布的数值计算模型 | 第15-17页 |
| ·AlInGaN/GaN异质结构的仿真结果 | 第17-24页 |
| ·AlIn(Ga)N三元和四元合金的性质 | 第17-18页 |
| ·晶格匹配的AlInGaN/GaN异质结构 | 第18-20页 |
| ·禁带宽度匹配的AlInGaN/GaN异质结构 | 第20-21页 |
| ·极化强度匹配的AlInGaN/GaN异质结构 | 第21-22页 |
| ·三种匹配异质结构的比较 | 第22-24页 |
| ·AlGaN/GaN异质结构的极化工程 | 第24-29页 |
| ·AlGaN/GaN结构 | 第24页 |
| ·GaN/AlGaN/GaN结构 | 第24-26页 |
| ·AlGaN/GaN/AlGaN/GaN结构 | 第26-28页 |
| ·AlGaN/InGaN/GaN结构 | 第28-29页 |
| ·适合HFET器件的AlInGaN/GaN异质结构 | 第29-31页 |
| 第三章 AlInGaN四元合金的MOCVD生长技术研究 | 第31-45页 |
| ·AlInGaN四元合金生长问题 | 第31-32页 |
| ·MOCVD技术介绍和衬底选择 | 第32-33页 |
| ·GaN外延层的MOCVD生长 | 第33-38页 |
| ·蓝宝石衬底低温AlN成核层厚度对GaN薄膜质量的影响 | 第34-36页 |
| ·蓝宝石衬底低温AlN成核层生长温度对GaN薄膜质量的影响 | 第36-38页 |
| ·InGaN的高温生长 | 第38-41页 |
| ·AlInGaN的生长 | 第41-43页 |
| ·AlInGaN合金的表征 | 第42页 |
| ·AlInGaN合金的XRD结构分析 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章 AlInGaN/GaN异质结构材料生长技术研究 | 第45-55页 |
| ·常规AlGaN/GaN HFET异质结构 | 第45-47页 |
| ·InGaN沟道HFET异质结构 | 第47-49页 |
| ·AlInGaN/GaN HFET异质结构的电学特性 | 第49-50页 |
| ·AlInGaN/GaN HFET异质结构的XRD和AFM分析 | 第50-51页 |
| ·AlInGaN/GaN HFET结构的界面态密度分析 | 第51-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 结论 | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 研究成果 | 第63-64页 |
