半导体发光材料的光学特性表征及分析

摘要	第1-5页
Abstract	第5-9页
第一章 简介	第9-13页
·Ⅲ族氮化物材料的发展	第9-11页
·国内外研究现状	第11页
·本论文研究的主要内容与安排	第11-13页
第二章 材料的生长技术及光致发光原理	第13-28页
·材料的生长技术	第13-18页
·金属有机物化学气相沉积（MOCVD）生长方式	第13-14页
·分子束外延（MBE）生长方式	第14-16页
·氢化物气相外延HVPE 技术	第16-17页
·两步生长工艺	第17页
·选区外延生长	第17-18页
·悬空外延技术	第18页
·P－N 结	第18-19页
·LED 发光原理	第19-20页
·复合理论	第20-25页
·半导体带间跃迁的基本理论	第25-28页
第三章 光学测量技术	第28-36页
·光致发光的基本原理	第28-31页
·光致发光测量装置	第31-33页
·实验设备介绍	第33-36页
第四章 发光材料光学特性的表征与分析	第36-56页
·氮化镓的基本晶格结构	第36页
·不同铟组分的氮化物三元合金的光学性质	第36-42页
·实验样品及光学特性测试	第36-37页
·实验结果与分析	第37-42页
·不同生长条件下LED 样品的发光性质	第42-55页
·本章小结	第55-56页
第五章 总结与展望	第56-57页
·论文完成的工作	第56页
·今后的展望	第56-57页
参考文献	第57-60页
硕士在读期间发表论文	第60-61页
致谢	第61页