| 中文摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| ·国内外研究进展 | 第10-16页 |
| ·论文内容安排 | 第16-17页 |
| 第二章 电子-空穴气屏蔽影响下有限深量子阱中电子与空穴的本征态 | 第17-25页 |
| ·引言 | 第17页 |
| ·理论与模型 | 第17-21页 |
| ·计算结果与讨论 | 第21-24页 |
| ·结论 | 第24-25页 |
| 第三章 应变闪锌矿[001]取向GaN/AlGaN量子阱中受屏蔽激子的压力效应 | 第25-32页 |
| ·引言 | 第25页 |
| ·理论模型 | 第25-26页 |
| ·参数的压力影响 | 第26-28页 |
| ·应变的压力影响 | 第26-27页 |
| ·禁带宽度和有效质量的压力影响 | 第27页 |
| ·介电常数的压力影响 | 第27-28页 |
| ·结果与讨论 | 第28-31页 |
| ·结论 | 第31-32页 |
| 第四章 应变闪锌矿[111]取向GaN/AlGaN量子阱中受屏蔽激子的压力效应 | 第32-38页 |
| ·引言 | 第32页 |
| ·理论模型 | 第32-33页 |
| ·参数的压力影响 | 第33-34页 |
| ·应变的压力影响 | 第33页 |
| ·禁带宽度和有效质量的压力影响 | 第33页 |
| ·内建电场的压力影响 | 第33-34页 |
| ·介电常数的压力影响 | 第34页 |
| ·结果与讨论 | 第34-37页 |
| ·结论 | 第37-38页 |
| 第五章 应变纤锌矿GaN/AlGaN量子阱中受屏蔽激子的压力效应 | 第38-48页 |
| ·引言 | 第38页 |
| ·理论模型 | 第38-39页 |
| ·参数的压力影响 | 第39-42页 |
| ·应变的压力影响 | 第39-40页 |
| ·禁带宽度和有效质量的压力影响 | 第40页 |
| ·内建电场的压力影响 | 第40-41页 |
| ·介电常数的压力影响 | 第41-42页 |
| ·结果与讨论 | 第42-47页 |
| ·结论 | 第47-48页 |
| 第六章 流体静压力下应变纤锌矿GaN/AlN量子阱中受屏蔽激子的声子效应 | 第48-57页 |
| ·引言 | 第48页 |
| ·哈密顿量 | 第48-51页 |
| ·结合能 | 第51-52页 |
| ·压力系数 | 第52-53页 |
| ·结果与讨论 | 第53-56页 |
| ·结论 | 第56-57页 |
| 第七章 总结 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第70页 |
