| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| ·p-GaN 欧姆接触的研究意义 | 第10-13页 |
| ·GaN 材料的优势 | 第10-11页 |
| ·p-GaN 材料相关器件研究进展 | 第11-13页 |
| ·国内外研究进展 | 第13-15页 |
| ·p-GaN 欧姆接触研究中存在的问题 | 第13-15页 |
| ·p-GaN 欧姆接触研究进展 | 第15页 |
| ·本论文主要的研究工作 | 第15-18页 |
| 第二章 欧姆接触基本理论 | 第18-30页 |
| ·欧姆接触的基本理论 | 第18-21页 |
| ·金属－半导体接触 | 第18-19页 |
| ·欧姆接触机制 | 第19-21页 |
| ·欧姆接触测试方法 | 第21-28页 |
| ·传输线模型（TLM） | 第22-24页 |
| ·圆环型传输线模型（CTLM） | 第24-26页 |
| ·圆点型传输线模型（dot CTLM） | 第26-28页 |
| ·本章小结 | 第28-30页 |
| 第三章 p-GaN 材料制备和表征 | 第30-42页 |
| ·p-GaN 材料制备 | 第30-34页 |
| ·材料生长机理 | 第30-32页 |
| ·材料生长结构及流程 | 第32-34页 |
| ·p-GaN 材料表征 | 第34-40页 |
| ·p-GaN 薄膜XRD 分析 | 第34-36页 |
| ·p-GaN 薄膜XPS 分析 | 第36-38页 |
| ·p-GaN 薄膜透射谱分析 | 第38-40页 |
| ·本章小结 | 第40-42页 |
| 第四章 p-GaN 材料欧姆接触 | 第42-54页 |
| ·欧姆接触制作工艺流程 | 第42页 |
| ·材料热退火对欧姆接触的影响 | 第42-46页 |
| ·霍尔（Hall）测试 | 第43-44页 |
| ·材料退火对欧姆接触的影响 | 第44-46页 |
| ·Ni/Au 欧姆接触 | 第46-50页 |
| ·Ni/Au 欧姆接触机理 | 第46-47页 |
| ·合金退火对欧姆接触性能的影响 | 第47-49页 |
| ·Ni/Au 金属比例对欧姆接触的影响 | 第49-50页 |
| ·表面处理对欧姆接触的影响 | 第50-51页 |
| ·实验所得出的最优结果 | 第51-52页 |
| ·本章小结 | 第52-54页 |
| 第五章 ICP 刻蚀损伤对p-GaN 欧姆接触的影响 | 第54-60页 |
| ·ICP 刻蚀损伤的研究背景 | 第54-55页 |
| ·ICP 刻蚀对p-GaN 材料表面的影响 | 第55-57页 |
| ·ICP 刻蚀对p-GaN 材料欧姆接触影响 | 第57-59页 |
| ·刻蚀前后材料欧姆接触比较 | 第57-58页 |
| ·刻蚀后材料的表面处理 | 第58-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第六章 结论 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-70页 |
| 作者攻读硕士期间的研究成果和参加的科研项目 | 第70-71页 |