| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-14页 |
| ·研究的背景和意义 | 第10-12页 |
| ·论文的结构安排 | 第12-13页 |
| 参考文献 | 第13-14页 |
| 第二章 InP/GaAs异质外延现状及晶体质量测试技术 | 第14-28页 |
| ·InP/GaAs异质外延现状及缓冲层技术简介 | 第14-16页 |
| ·晶格匹配型缓冲层 | 第14-15页 |
| ·组分渐变型缓冲层 | 第15页 |
| ·应变超晶格技术 | 第15-16页 |
| ·金属有机化学气相外延技术 | 第16-19页 |
| ·晶体生长质量的测试方法 | 第19-24页 |
| ·X射线衍射技术(XRD) | 第19-21页 |
| ·光致发光技术(PL) | 第21-24页 |
| ·透射电子显微镜术(TEM) | 第24页 |
| ·本章小结 | 第24-25页 |
| 参考文献 | 第25-28页 |
| 第三章 基于低温组分渐变缓冲层的InP/GaAs异质外延研究 | 第28-45页 |
| ·引言 | 第28页 |
| ·基于低温组分渐变In_xGa_(1-x)P缓冲层的InP/GaAs异质外延 | 第28-38页 |
| ·低温组分渐变In_xGa_(1-x)P缓冲层生长条件的优化 | 第29-32页 |
| ·组分渐变缓冲层与单低温缓冲层对InP/GaAs异质外延影响的比较 | 第32-33页 |
| ·插入应变超晶格对InP/GaAs异质外延质量的影响 | 第33-38页 |
| ·InP/GaAs异质外延组分渐变缓冲层中的位错和应变 | 第38-42页 |
| ·错配位错和穿透位错的产生机理 | 第38-39页 |
| ·组分渐变缓冲层中的错配位错和穿透位错关系 | 第39-40页 |
| ·InP/GaAs异质外延中穿透位错密度和双轴应变的计算 | 第40-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-45页 |
| 第四章 InP/GaAs异质外延在单片集成PIN光探测器中的应用 | 第45-59页 |
| ·PIN光探测器的工作原理 | 第45-46页 |
| ·PIN光探测器的性能表征参数 | 第46-49页 |
| ·光谱响应 | 第47-48页 |
| ·频率响应 | 第48-49页 |
| ·GaAs基异变In_(0.53)Ga_(0.47)As PIN探测器 | 第49-52页 |
| ·材料生长 | 第49-52页 |
| ·器件的制备 | 第52页 |
| ·测试结果及分析 | 第52-56页 |
| ·光谱响应测试 | 第52-54页 |
| ·高频特性测试 | 第54-55页 |
| ·结果分析 | 第55-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
| 第五章 总结 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-62页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第62页 |
