| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-14页 |
| ·研究意义和课题背景 | 第9-12页 |
| ·论文结构安排 | 第12-13页 |
| 参考文献 | 第13-14页 |
| 第二章 大失配异质外延技术及相关实验测试方法 | 第14-27页 |
| ·大失配异质外延的技术现状 | 第14-17页 |
| ·相关实验测试方法 | 第17-24页 |
| ·X射线衍射技术(XRD) | 第17-19页 |
| ·光致发光技术(PL) | 第19-22页 |
| ·扫描电子显微镜技术(SEM) | 第22-24页 |
| ·透射电子显微镜术(TEM) | 第24页 |
| ·小结 | 第24-25页 |
| 参考文献 | 第25-27页 |
| 第三章 GaAs/InP异质外延生长缓冲层技术的研究 | 第27-35页 |
| ·引言 | 第27-28页 |
| ·基于低温缓冲层技术的GaAs/InP的异质外延生长 | 第28-31页 |
| ·小结 | 第31-32页 |
| 参考文献 | 第32-35页 |
| 第四章 GaAs基长波长谐振腔增强型光探测器的研究 | 第35-51页 |
| ·谐振腔增强型(RCE)光电探测器的基本理论 | 第35-43页 |
| ·RCE光电探测器的量子效率特性 | 第36-38页 |
| ·RCE光电探测器的波长选择特性 | 第38-39页 |
| ·RCE光电探测器的高速响应特性 | 第39-41页 |
| ·量子效率与光谱响应线宽之间的制约关系 | 第41-43页 |
| ·小结 | 第43页 |
| ·单片集成GaAs基长波长RCE光探测器的研究 | 第43-49页 |
| ·器件结构及理论分析 | 第44-45页 |
| ·器件生长及制备 | 第45-47页 |
| ·结果及讨论 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-51页 |
| 第五章 Si/GaAs的异质外延生长 | 第51-75页 |
| ·引言 | 第51-53页 |
| ·热失配导致的应变和应力分布模型 | 第53-58页 |
| ·基于低温缓冲层法的Si(100)4°衬底的GaAs异质外延生长 | 第58-64页 |
| ·Si(100)4°/GaAs生长的实验方案 | 第59-60页 |
| ·实验测试结果与讨论 | 第60-62页 |
| ·基于AlGaAs缓冲层的Si(100)4°/GaAs生长的实验方案 | 第62-64页 |
| ·基于刻槽工艺的mid-patternGaAs/Si外延技术 | 第64-70页 |
| ·问题的提出 | 第64-66页 |
| ·基于刻槽技术的mid-pattern外延实验 | 第66-70页 |
| 参考文献 | 第70-75页 |
| 致谢 | 第75-77页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文目录 | 第77页 |
