当前位置:
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
--
一般性问题
--
材料
ZnMgO纳米薄膜在MOSFET和透明TFT中的应用
离子注入SOI材料的总剂量辐照效应研究
GaN的刻蚀、P型欧姆接触以及LED的研究
纳米多孔氮化镓制备及氮化镓干法刻蚀损伤回复研究
水热构筑ZnO低维结构材料
锑掺杂二氧化钛的制备及其光催化性能研究
常压射频低温等离子体增强化学气相沉积二氧化硅薄膜的研究
硒化镉(CdSe)单晶体的点缺陷研究
用于FBAR的PZT薄膜制备研究
纳米晶体硅量子点场致发射冷阴极研究
热蒸发法制备厘米级ZnO晶须及特性研究
半导体氧化物的掺杂及其抗菌性能研究
氢退火对直拉硅中氧沉淀及空洞型缺陷的作用
氮和空位对直拉单晶硅中氧沉淀的影响
碘化铅(PbI2)单晶体生长研究
MOCVD法生长磷掺杂p型ZnO薄膜及其退火研究
MOCVD法制备ZnO量子点及其性能研究
半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶中的杂质与缺陷
激光在太阳能单晶硅圆片上划槽控制的研究与应用
用四探针法测试硅片微区薄层电阻的稳定性研究
薄层硅外延材料的研究
GaN HEMT外延材料的欧姆接触及其在霍尔测试上的应用
表面再构对GaAs分子束外延薄膜生长的影响
单晶生长用永磁可变磁场系统设计
快中子辐照掺氮直拉硅中氧沉淀及诱生缺陷研究
薄膜生长的Monte Carlo二维模拟
磁控溅射法制备p型透明导电二氧化锡薄膜
有机衬底上沉积禁带宽度可调的CdO透明导电薄膜
MOCVD法制备磷掺杂p型ZnO薄膜
MOCVD法生长ZnO及ZnO:N薄膜的性能研究
基于薄膜晶体管应用的功能薄膜AIN和ZnO的生长与特性研究
嘧啶醇材料的电流/场效应现象的探索
白光二极管用钇铝石榴石荧光材料的制备与光谱调控
氧化锌—二氧化钛纳米复合体系的制备、表征及性能
纳微米尺度单基质白光荧光体的微结构和光谱调控研究
低辐射薄膜的制备与性能研究
喷雾热解法制备P型透明导电的二氧化锡薄膜
直流磁控溅射制备In-N共掺p型ZnO薄膜
MOCVD法生长磷掺杂p型ZnO薄膜及其性质研究
大尺寸氧化锌晶体的制备及生长机理
基于半导体化合物材料的全光开关研究
PLD和MOCVD方法生长的ZnO薄膜结构及发光性能
硅键合材料及二极管少子寿命测试分析与研究
有机聚合物超微粒的制备及电致发光器件的初步研究
单晶硅自停止腐蚀工艺研究
氮化硅薄膜力学性能的研究及其在射频MEMS开关中的应用
两步法制备FeS2薄膜及其性能的研究
射频辉光放电等离子体空间特性的质谱诊断
低温等离子体增强CVD技术及制备氮化硅薄膜的研究
脉冲激光沉积制备ZnO薄膜及发光特性研究
上一页
[46]
[47]
[48]
[49]
[50]
下一页