MOCVD法生长磷掺杂p型ZnO薄膜及其退火研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 前言 | 第9-13页 |
| ·立题依据 | 第9-12页 |
| ·研究内容 | 第12-13页 |
| 第二章 文献综述 | 第13-36页 |
| ·ZnO薄膜的基本性质 | 第13-15页 |
| ·ZnO薄膜的特性及其应用 | 第15-21页 |
| ·ZnO薄膜的光电特性 | 第15-20页 |
| ·ZnO薄膜的其它特性 | 第20-21页 |
| ·ZnO薄膜的制备技术 | 第21-25页 |
| ·脉冲激光沉积 | 第22-23页 |
| ·分子束外延 | 第23页 |
| ·磁控溅射 | 第23-24页 |
| ·金属有机化学气相沉积 | 第24-25页 |
| ·ZnO薄膜的掺杂 | 第25-36页 |
| ·ZnO薄膜的n型掺杂 | 第25-27页 |
| ·ZnO薄膜的p型掺杂 | 第27-34页 |
| ·ZnO薄膜p型转变的难点 | 第34-36页 |
| 第三章 MOCVD沉积系统 | 第36-46页 |
| ·MOCVD简介 | 第36-39页 |
| ·MOCVD生长技术概要 | 第36-37页 |
| ·MOCVD设备及其生长系统 | 第37-39页 |
| ·MO源的选取及流量控制 | 第39-40页 |
| ·MO源的选取 | 第39-40页 |
| ·MO源流量的控制 | 第40页 |
| ·本实验的MOCVD系统 | 第40-43页 |
| ·实验步骤 | 第43-44页 |
| ·ZnO薄膜衬底的清洗 | 第43-44页 |
| ·ZnO薄膜的沉积过程 | 第44页 |
| ·薄膜性能的评价 | 第44-46页 |
| 第四章 原位生长ZnO及磷掺杂ZnO薄膜 | 第46-54页 |
| ·原位生长ZnO薄膜 | 第46-48页 |
| ·原位生长磷掺杂ZnO薄膜 | 第48-50页 |
| ·磷掺杂ZnO薄膜的掺杂机理 | 第50-54页 |
| 第五章 磷掺杂ZnO薄膜的退火研究 | 第54-73页 |
| ·ZnO薄膜的结晶性能 | 第54-57页 |
| ·ZnO薄膜的电学性能 | 第57-65页 |
| ·高温快速退火 | 第57-61页 |
| ·低温长时间退火 | 第61-65页 |
| ·ZnO薄膜中磷的掺入 | 第65-68页 |
| ·ZnO薄膜的光学性能 | 第68-71页 |
| ·ZnO薄膜的稳定性 | 第71-73页 |
| 第六章 结论 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-82页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第82-83页 |
| 致谢 | 第83页 |
