| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 目录 | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-28页 |
| ·引言 | 第8-9页 |
| ·SnO_2薄膜的特性 | 第9-11页 |
| ·SnO_2薄膜的晶体结构 | 第9-10页 |
| ·SnO_2薄膜的光电特性 | 第10页 |
| ·SnO_2薄膜的气敏特性 | 第10-11页 |
| ·SnO_2薄膜的湿敏特性 | 第11页 |
| ·SnO_2薄膜的应用 | 第11-14页 |
| ·SnO_2薄膜在气敏材料上的应用 | 第11-12页 |
| ·SnO_2薄膜在电子工业上的应用 | 第12-14页 |
| ·SnO_2电热膜 | 第13页 |
| ·SnO_2透明导电膜 | 第13页 |
| ·SnO_2薄膜电阻器 | 第13-14页 |
| ·太阳能电池 | 第14页 |
| ·SnO_2薄膜在玻璃工业上的应用 | 第14页 |
| ·SnO_2薄膜的制备方法 | 第14-21页 |
| ·溶胶凝胶法(Sol-Gel) | 第15-16页 |
| ·喷涂热解法(Spray Pyrolysis) | 第16页 |
| ·化学气相沉积法(CVD) | 第16-18页 |
| ·物理气相沉积法(P VD) | 第18-21页 |
| ·真空蒸发工艺 | 第18页 |
| ·射频溅射法(RF Sputtering) | 第18-19页 |
| ·直流磁控溅射法(Dc Magnetron Sputtering) | 第19-20页 |
| ·脉冲激光沉积法(Pulsed Laser Deposition) | 第20-21页 |
| ·掺杂SnO_2薄膜的研究进展 | 第21-26页 |
| ·SnO_2薄膜的n型掺杂 | 第21-23页 |
| ·掺氟的SnO_2(SnO_2:F) | 第21-22页 |
| ·掺锑的SnO_2(SnO_2:Sb) | 第22页 |
| ·掺磷的SnO_2(SnO_2:P) | 第22-23页 |
| ·其他元素的掺杂 | 第23页 |
| ·SnO_2薄膜的p型掺杂 | 第23-26页 |
| ·p型掺杂机理 | 第23页 |
| ·p型TCO材料掺杂的研究进展 | 第23-26页 |
| ·本文研究的目的及意义 | 第26-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 第二章 磁控溅射法制备薄膜及其表征 | 第28-36页 |
| ·磁控溅射的基本原理 | 第28-30页 |
| ·溅射法原理 | 第28-29页 |
| ·磁控溅射技术 | 第29-30页 |
| ·溅射薄膜的形成理论 | 第30页 |
| ·磁控溅射系统 | 第30-31页 |
| ·磁控溅射法制备薄膜 | 第31-33页 |
| ·靶材的制备 | 第31-32页 |
| ·衬底的选择与清洗 | 第32页 |
| ·薄膜的制备 | 第32页 |
| ·溅射成膜的影响因素 | 第32-33页 |
| ·薄膜的热处理 | 第33页 |
| ·薄膜的表征 | 第33-35页 |
| ·薄膜晶体结构的表征 | 第33-34页 |
| ·薄膜表面形貌、成分分析和膜厚的测试 | 第34页 |
| ·薄膜光学性能的测试 | 第34-35页 |
| ·薄膜电学性能的测试 | 第35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 第三章 p型SnO_2:In透明导电薄膜的研究 | 第36-52页 |
| ·反应溅射法SnO_2:In薄膜的制备与表征 | 第36-44页 |
| ·实验设备 | 第36页 |
| ·溅射靶材的制备 | 第36-37页 |
| ·反应溅射法TIO薄膜的制备 | 第37-38页 |
| ·反应溅射法TIO薄膜的表征与分析 | 第38-44页 |
| ·A组TIO薄膜的表征与分析 | 第38-41页 |
| ·B组TIO薄膜的表征与分析 | 第41-43页 |
| ·C组TIO薄膜的表征与分析 | 第43-44页 |
| ·热氧化法SnO_2:In薄膜的制备与表征 | 第44-51页 |
| ·实验设备 | 第44页 |
| ·溅射靶材的制备 | 第44-45页 |
| ·热氧化法TIO薄膜的制备 | 第45页 |
| ·热氧化法TIO薄膜的表征与分析 | 第45-51页 |
| ·XRD对TIO薄膜的表征与分析 | 第46-47页 |
| ·FESEM对TIO薄膜的表征与分析 | 第47-48页 |
| ·TIO薄膜的光学性能表征与分析 | 第48-49页 |
| ·TIO薄膜的电学性能表征与分析 | 第49-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 p型SnO_2:Ga透明导电薄膜的研究 | 第52-57页 |
| ·SnO_2:Ga薄膜的制备 | 第52-53页 |
| ·实验设备 | 第52页 |
| ·溅射靶材的制备 | 第52页 |
| ·SnO_2:Ga薄膜的制备与表征 | 第52-53页 |
| ·SnO_2:Ga薄膜的表征结果与分析 | 第53-56页 |
| ·TGO薄膜的晶体结构分析与成分分析 | 第53-54页 |
| ·TGO薄膜的紫外可见吸收分析 | 第54-55页 |
| ·TGO薄膜的电学性能分析 | 第55-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 掺Cu的SnO_2薄膜的研究 | 第57-65页 |
| ·掺Cu的SnO_2薄膜的制备 | 第57-59页 |
| ·实验设备 | 第57-58页 |
| ·溅射靶材的制备 | 第58页 |
| ·薄膜的制备 | 第58-59页 |
| ·掺Cu的SnO_2薄膜的晶体结构分析 | 第59-61页 |
| ·铜含量对SnO_2薄膜晶体结构的影响 | 第59-60页 |
| ·热氧化温度对掺铜SnO_2薄膜晶体结构的影响 | 第60-61页 |
| ·掺Cu的SnO_2薄膜的光学性能分析 | 第61-62页 |
| ·铜含量对SnO_2薄膜的光学性能的影响 | 第61-62页 |
| ·热氧化温度对SnO_2薄膜的光学性能的影响 | 第62页 |
| ·掺Cu的SnO_2薄膜的电学性能分析 | 第62-63页 |
| ·本章小结 | 第63-65页 |
| 第六章 结论 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-74页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75页 |