| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-20页 |
| §1.1 纳米薄膜材料的特性 | 第9-10页 |
| §1.2 氮化硅薄膜的特性与生长机理 | 第10-14页 |
| ·氮化硅薄膜的特性 | 第10-11页 |
| ·薄膜的生长机理 | 第11-12页 |
| ·各种因素对薄膜最终结构的影响 | 第12-13页 |
| ·氮化硅薄膜性质的影响因素 | 第13-14页 |
| §1.3 纳米Si_3N_4薄膜制备技术 | 第14-18页 |
| ·直接氮化法 | 第14-15页 |
| ·激光辅助氮化 | 第15页 |
| ·离子束增强制备氮化硅薄膜 | 第15-16页 |
| ·射频磁控反应溅射法 | 第16页 |
| ·化学气相沉积法(CVD) | 第16-18页 |
| §1.4 等离子体化学气相沉积的概念及应用 | 第18-19页 |
| §1.5 本文研究的目的、意义和基本内容 | 第19-20页 |
| 第二章 ICPECVD沉积纳米氮化硅薄膜原理及装置 | 第20-29页 |
| §2.1 ICPECVD制备纳米氮化硅薄膜的过程及其装置 | 第20-24页 |
| ·感应耦合等离子体射频系统 | 第21-23页 |
| ·感应耦合等离子体真空系统 | 第23页 |
| ·感应耦合等离子体反应室及进气系统 | 第23-24页 |
| §2.2 感应耦合等离子体原理及产生方式 | 第24-28页 |
| ·电感耦合高频放电管中电磁场分布 | 第24-26页 |
| ·高频放电机理 | 第26-28页 |
| §2.3 小结 | 第28-29页 |
| 第三章 ICP等离子体参数诊断 | 第29-41页 |
| §3.1 静电探针诊断原理 | 第29-32页 |
| ·单探针诊断原理 | 第30-32页 |
| ·影响等离子体密度因素分析 | 第32页 |
| §3.2 静电探针诊断装置及其试验结果 | 第32-40页 |
| ·单探针诊断装置 | 第32-33页 |
| ·ICP等离子体密度分布 | 第33-40页 |
| §3.3 小结 | 第40-41页 |
| 第四章 Si_3N_4薄膜的结构、性能测试分析与表征 | 第41-57页 |
| §4.1 Si_3N_4薄膜样品的FTIR分析 | 第41-51页 |
| ·FTIR工作原理 | 第41页 |
| ·FTIR主要技术指标 | 第41-42页 |
| ·Si_3N_4薄膜样品的制备 | 第42页 |
| ·Si_3N_4薄膜样品的FTIR谱及其分析 | 第42-51页 |
| §4.2 Si_3N_4薄膜样品的XRD分析 | 第51-53页 |
| ·XRD工作原理 | 第51页 |
| ·XRD主要技术指标 | 第51页 |
| ·Si_3N_4薄膜样品的制备 | 第51页 |
| ·Si_3N_4薄膜样品的XRD谱及其分析 | 第51-53页 |
| §4.3 Si_3N_4薄膜样品的AFM分析 | 第53-56页 |
| ·AFM工作原理 | 第53-54页 |
| ·AFM主要技术指标 | 第54页 |
| ·Si_3N_4薄膜样品的制备 | 第54页 |
| ·纳Si_3N_4薄膜样品的AFM显微形貌及其分析 | 第54-56页 |
| §4.4 小结 | 第56-57页 |
| 结论 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-61页 |
| 发表论文 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
