| 第1章 前言 | 第1-10页 |
| 第2章 文献综述 | 第10-31页 |
| ·硅的基本性质 | 第10-11页 |
| ·硅单晶的制备 | 第11-13页 |
| ·区熔法 | 第11-12页 |
| ·直拉法 | 第12-13页 |
| ·硅单晶中的氧 | 第13-20页 |
| ·氧的引入及控制 | 第13-15页 |
| ·氧在硅中的基本性质 | 第15-18页 |
| ·氧的测量 | 第18-20页 |
| ·硅单晶中的氧沉淀 | 第20-23页 |
| ·氧沉淀的形核和长大 | 第20-22页 |
| ·直拉单晶硅的吸杂工艺 | 第22-23页 |
| ·硅单晶中的氢 | 第23-31页 |
| ·氢在硅中的基本性质 | 第23-25页 |
| ·氢对氧扩散的影响 | 第25-29页 |
| ·氢对热施主的影响 | 第29-30页 |
| ·氢对氧沉淀的影响 | 第30-31页 |
| 第3章 实验设备与样品准备 | 第31-36页 |
| ·生长设备 | 第31页 |
| ·HAMCO CG-6000单晶炉 | 第31页 |
| ·退火设备 | 第31-32页 |
| ·常规退火炉 | 第31页 |
| ·氢气退火炉 | 第31-32页 |
| ·测试设备 | 第32-34页 |
| ·傅立叶红外干涉仪 | 第32-33页 |
| ·金相显微镜 | 第33页 |
| ·扩展电阻仪(SRP) | 第33-34页 |
| ·样品的清洗和腐蚀技术 | 第34-36页 |
| ·样品的清洗 | 第34页 |
| ·样品的腐蚀 | 第34-36页 |
| 第4章 高温氢退火对氧外扩散的影响 | 第36-43页 |
| ·引言 | 第36-37页 |
| ·实验 | 第37-38页 |
| ·样品参数 | 第37页 |
| ·实验过程 | 第37-38页 |
| ·实验结果及讨论 | 第38-42页 |
| ·1200℃氢气、氩气退火对氧外扩散的影响 | 第38-41页 |
| ·1000℃氢气、氩气退火对氧外扩散的影响 | 第41-42页 |
| ·结论 | 第42-43页 |
| 第5章 高温氢退火在内吸杂工艺中对氧沉淀的影响 | 第43-62页 |
| ·引言 | 第43-44页 |
| ·实验 | 第44-45页 |
| ·样品参数 | 第44页 |
| ·实验过程 | 第44-45页 |
| ·实验结果及讨论 | 第45-60页 |
| ·氢气、氩气氛下1200℃／2h预处理后淬冷对氧沉淀的影响 | 第45-50页 |
| ·氢气、氩气氛下1200℃／2h热处理后慢冷对氧沉淀的影响 | 第50-53页 |
| ·氢气、氩气氛下1000℃／2h热处理后淬冷对氧沉淀的影响 | 第53-59页 |
| ·氢气退火对洁净区的影响 | 第59-60页 |
| ·结论 | 第60-62页 |
| 第6章 氢退火对重掺硼直拉硅空洞型缺陷的作用 | 第62-68页 |
| ·引言 | 第62页 |
| ·实验 | 第62-63页 |
| ·样品参数 | 第62-63页 |
| ·实验过程 | 第63页 |
| ·实验结果及分析 | 第63-67页 |
| ·FPDs的显示机理 | 第63-65页 |
| ·高温氢退火对FPDs的影响 | 第65-67页 |
| ·结论 | 第67-68页 |
| 第7章 总结 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 附录 | 第76页 |
