| 第一章 文献综述 | 第1-23页 |
| 1．1 引言 | 第8-9页 |
| 1．2 透明导电氧化物薄膜 | 第9-12页 |
| 1．2．1 氧化锡薄膜(TO) | 第9-10页 |
| 1．2．2 掺锑的氧化锡薄膜(ATO) | 第10页 |
| 1．2．3 掺氟的氧化锡薄膜(FTO) | 第10页 |
| 1．2．4 氧化铟(In_2O_3) | 第10页 |
| 1．2．5 掺锡的氧化铟(ITO) | 第10-11页 |
| 1．2．6 掺杂的氧化锌薄膜(AZO) | 第11页 |
| 1．2．7 其它的一些透明导电氧化物 | 第11-12页 |
| 1．3 CdO的性质 | 第12-13页 |
| 1．3．1 CdO薄膜的晶体结构 | 第12页 |
| 1．3．2 CdO的光电性质 | 第12-13页 |
| 1．3．3 CdO的气敏性质 | 第13页 |
| 1．4 CdO薄膜的应用 | 第13-16页 |
| 1．4．1 CdO在太阳能电池的应用 | 第13-14页 |
| 1．4．2 CdO在光电器件的应用 | 第14-15页 |
| 1．4．3 CdO在气敏材料中的应用 | 第15-16页 |
| 1．5 CdO薄膜制备技术简介 | 第16-23页 |
| 1．5．1 喷雾热解(Spray pyrolysis) | 第16-17页 |
| 1．5．2 化学气相沉积(CVD) | 第17-18页 |
| 1．5．3 分子束外延(MBE)技术 | 第18-19页 |
| 1．5．4 脉冲激光沉积(PLD) | 第19-20页 |
| 1．5．5 溶胶凝胶(Sol-gel) | 第20-21页 |
| 1．5．6 磁控溅射(Magnetron sputtering) | 第21-23页 |
| 第二章 磁控溅射成膜原理与工艺 | 第23-27页 |
| 2．1 直流反应磁控溅射的基本原理 | 第23-24页 |
| 2．2 辉光区的划分及溅射的形成 | 第24-25页 |
| 2．3 磁控溅射镀膜 | 第25-27页 |
| 第三章 磁控溅射制备氧化隔薄膜 | 第27-32页 |
| 3．1 直流反应磁控溅射系统 | 第27-28页 |
| 3．2 磁控溅射CdO薄膜的制备 | 第28-29页 |
| 3．2．1 靶的制备 | 第28页 |
| 3．2．2 衬底准备与衬底的清洗 | 第28-29页 |
| 3．3 CdO薄膜的制备过程 | 第29-30页 |
| 3．4 CdO薄膜的性能测试 | 第30-32页 |
| 3．4．1 薄膜结构的测试 | 第30-31页 |
| 3．4．2 薄膜光学性质的测试 | 第31页 |
| 3．4．3 薄膜电学性能的测试 | 第31页 |
| 3．4．4 薄膜表面形貌的测试 | 第31-32页 |
| 第四章 生长参数对CdO薄膜的影响 | 第32-49页 |
| 4．1 影响薄膜结晶质量的主要因素 | 第32-34页 |
| 4．2 氧气流量对CdO薄膜性能的影响 | 第34-38页 |
| 4．2．1 氧气流量对CdO薄膜的结构和结晶取向影响 | 第34页 |
| 4．2．2 氧气流量对CdO薄厚和表面形貌影响 | 第34-36页 |
| 4．2．3 氧气流量对CdO电学性能的影响 | 第36-37页 |
| 4．2．4 氧气流量对CdO光学性能的影响 | 第37-38页 |
| 4．3 衬底温度对CdO薄膜性能的影响 | 第38-42页 |
| 4．3．1 衬底温度对CdO薄膜的结构和结晶取向影响 | 第38-39页 |
| 4．3．2 衬底温度对CdO薄膜的电学性能的影响 | 第39-40页 |
| 4．3．3 衬底温度对CdO薄膜的表面形貌的影响 | 第40-41页 |
| 4．3．4 衬底温度对CdO薄膜光学性能的影响 | 第41-42页 |
| 4．4 溅射功率对CdO薄膜性能的影响 | 第42-45页 |
| 4．4．1 溅射功率对CdO薄膜的结构和结晶取向影响 | 第42-43页 |
| 4．4．2 溅射功率对CdO薄膜的电学性能的影响 | 第43-44页 |
| 4．4．3 溅射功率对CdO薄膜的光学性能的影响 | 第44-45页 |
| 4．5 溅射时间对CdO薄膜性能的影响 | 第45-49页 |
| 4．5．1 溅射时间对CdO薄膜的结构和结晶取向影响 | 第45-46页 |
| 4．5．2 溅射时间对CdO薄膜的电学性能的影响 | 第46-47页 |
| 4．5．3 溅射时间对CdO薄膜的光学性能的影响 | 第47-49页 |
| 第五章 Zn_xCd_(1-x)O薄膜的制备与表征 | 第49-60页 |
| 5．1 引言 | 第49页 |
| 5．2 试验过程 | 第49-51页 |
| 5．2．1 靶材的制备与衬底的清洗和安装 | 第49-50页 |
| 5．2．2 薄膜的制备过程 | 第50-51页 |
| 5．3 室温下生长的Zn_xCd_(1-x)O薄膜的性能测试 | 第51-55页 |
| 5．3．1 室温下Zn含量变化对Zn_xCd_(1-x)O薄膜的结晶性能的影响 | 第51-52页 |
| 5．3．2 室温下Zn含量变化对Zn_xCd_(1-x)O薄膜的电学性能的影响 | 第52-54页 |
| 5．3．3 室温下Zn含量变化对Zn_xCd_(1-x)O薄膜的光学性能的影响 | 第54-55页 |
| 5．4 在150℃下生长的Zn_xCd_(1-x)O薄膜的性能测试 | 第55-59页 |
| 5．4．1 在150℃下Zn含量变化对Zn_xCd_(1-x)O薄膜的结晶性能的影响 | 第55-56页 |
| 5．4．2 在150℃下Zn含量变化对Zn_xCd_(1-x)O薄膜的电学性能的影响 | 第56-58页 |
| 5．4．3 在150℃下Zn含量变化对Zn_xCd_(1-x)O薄膜的光学性能的影响 | 第58-59页 |
| 5．5 本章小节 | 第59-60页 |
| 第六章 Zn_xCd_(1-x)Al_yO薄膜的制备与表征 | 第60-67页 |
| 6．1 引言 | 第60-61页 |
| 6．2 试验过程 | 第61页 |
| 6．2．1 靶材的制备 | 第61页 |
| 6．2．2 衬底的清洗和安装 | 第61页 |
| 6．2．3 薄膜的制备 | 第61页 |
| 6．3 Zn_xCd_(1-x)Al_yO薄膜的性能测试 | 第61-66页 |
| 6．3．1 ZnAl含量对Zn_xCd_(1-x)Al_yO薄膜的结晶性能的影响 | 第61-63页 |
| 6．3．2 ZnAI含量对Zn_xCd_(1-x)Al_yO薄膜的电学性能的影响 | 第63-64页 |
| 6．3．3 ZnAl含量对Zn_xCd_(1-x)Al_yO薄膜的电学性能的影响 | 第64-66页 |
| 6．4 本章小节 | 第66-67页 |
| 第七章 结论 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-73页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第73-74页 |
| 致 谢 | 第74页 |
