| 中文摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-9页 |
| 1 绪论 | 第9-27页 |
| ·半导体材料概述 | 第9-11页 |
| ·半导体核辐射探测器及其材料 | 第11-14页 |
| ·室温核辐射探测器研究现状 | 第14-18页 |
| ·碘化铅晶体生长方法及研究现状 | 第18-23页 |
| ·选题意义及研究内容 | 第23-27页 |
| 2 晶体生长基础 | 第27-36页 |
| ·熔体生长的基本原理 | 第28-32页 |
| ·垂直布里奇曼法原理 | 第32-36页 |
| 3 晶体生长实验 | 第36-55页 |
| ·原料碘的提纯 | 第36-38页 |
| ·碘化铅多晶合成 | 第38-40页 |
| ·晶体生长设备及温场设计 | 第40-42页 |
| ·单晶生长 | 第42-47页 |
| ·实验结果与分析 | 第47-55页 |
| 4 碘化铅单晶体的性能表征 | 第55-61页 |
| ·禁带宽度 | 第55-56页 |
| ·红外透过率 | 第56-57页 |
| ·I-V特性测试分析 | 第57-59页 |
| ·能谱特性 | 第59-61页 |
| 5 结论 | 第61页 |
| 6 工作展望 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-69页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文 | 第69-70页 |
| 申明 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71页 |