| 第一章 引言 | 第1-11页 |
| 第二章 文献综述 | 第11-25页 |
| ·半导体材料的发展历史 | 第11-12页 |
| ·发光二极管的应用前景 | 第12-18页 |
| ·传统照明工具的不足之处 | 第12页 |
| ·发光二极管的照明概念 | 第12-13页 |
| ·发光二极管的发展历史 | 第13-14页 |
| ·发光二极管的发光原理 | 第14-15页 |
| ·LED光源的基本特征 | 第15-16页 |
| ·LED照明光源技术的应用前景及趋势 | 第16-18页 |
| ·GaN发光二极管的发展及应用 | 第18-23页 |
| ·GaN发光二极管的应用及市场前景 | 第18-19页 |
| ·GaN发光二极管制作工艺的发展 | 第19-23页 |
| ·GaN材料的刻蚀 | 第23-24页 |
| ·本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 Cl基气体感应耦合等离子体刻蚀GaN工艺研究 | 第25-42页 |
| ·引言 | 第25页 |
| ·Cl_2基气体刻蚀GaN的机理分析 | 第25-32页 |
| ·等离子体的产生及特性 | 第25-28页 |
| ·等离子体的概念 | 第25-26页 |
| ·德拜屏蔽和德拜长度 | 第26-27页 |
| ·朗缪尔振荡和朗缪尔频率 | 第27-28页 |
| ·等离子体判据 | 第28页 |
| ·等离子体刻蚀的原理 | 第28-30页 |
| ·概述 | 第28-29页 |
| ·等离子体鞘 | 第29页 |
| ·感应耦合等离子体平板反应器 | 第29-30页 |
| ·Cl_2／He刻蚀GaN原理 | 第30-32页 |
| ·感应耦合等离子体刻蚀设备 | 第32-34页 |
| ·刻蚀前准备(刻蚀掩模的制作) | 第34-35页 |
| ·Cl_2／He感应耦合等离子体刻蚀GaN特性研究 | 第35-40页 |
| ·刻蚀速率 | 第35-38页 |
| ·刻蚀后表面粗糙度 | 第38-39页 |
| ·刻蚀的均匀度 | 第39页 |
| ·刻蚀选择比 | 第39-40页 |
| ·Cl_2／He、Cl_2／Ar感应耦合等离子体刻蚀GaN的比较 | 第40-41页 |
| ·本章小结和结论 | 第41-42页 |
| 第四章 金属与GaN欧姆接触的研究 | 第42-56页 |
| ·引言 | 第42页 |
| ·金属／半导体接触的类型 | 第42-45页 |
| ·接触电阻率的测量原理和方法 | 第45-46页 |
| ·金属与n-GaN欧姆接触的研究 | 第46-49页 |
| ·概况 | 第46-47页 |
| ·Ti／Al／Ni／Au n型欧姆接触研究 | 第47-49页 |
| ·实验过程 | 第47-48页 |
| ·实验结果 | 第48页 |
| ·实验结论 | 第48-49页 |
| ·金属与p-GaN欧姆接触的研究 | 第49-55页 |
| ·概况 | 第49-53页 |
| ·Ni／Au P型欧姆接触研究 | 第53-55页 |
| ·实验过程 | 第54页 |
| ·实验结果 | 第54页 |
| ·实验结论 | 第54-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 GaN LED的试制作 | 第56-63页 |
| ·引言 | 第56页 |
| ·LED原理 | 第56-61页 |
| ·PN结的形成以及自建电场 | 第56-58页 |
| ·非平衡载流子的产生——PN结少子注入 | 第58页 |
| ·非平衡载流子的辐射复合 | 第58-60页 |
| ·发光二极管特性 | 第60-61页 |
| ·发光光谱和发光强度 | 第60页 |
| ·发光效率 | 第60-61页 |
| ·GaN LED制作工艺 | 第61页 |
| ·GaN LED的测试 | 第61-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 第六章 结论及展望 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |
| 作者简历 | 第67-69页 |
| 发表文章目录 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70页 |
