| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 引言 | 第10-33页 |
| 第一节 概述 | 第10-11页 |
| 第二节 ZnO薄膜发光材料的研究现状 | 第11页 |
| 第三节 ZnO薄膜的性质 | 第11-15页 |
| 第四节 ZnO材料的应用 | 第15-18页 |
| 1 ZnO发光二极管和激光器 | 第15-16页 |
| 2 表面声波器件 | 第16页 |
| 3 紫外光探测器 | 第16-17页 |
| 4 与GaN互做缓冲层 | 第17页 |
| 5 光电器件单片集成 | 第17页 |
| 6 全Zno集成器件 | 第17-18页 |
| 第五节 ZnO的发光机制 | 第18-24页 |
| 1 由带间跃迁引起的发光 | 第18-19页 |
| 2 由激子复合引起的发光 | 第19-23页 |
| 3 由缺陷或杂质引起的跃迁 | 第23-24页 |
| 第六节 ZnO薄膜的主要生长方法 | 第24-33页 |
| 1 脉冲激光沉积 | 第24-26页 |
| 2 金属有机化学气相沉积 | 第26-27页 |
| 3 磁控溅射 | 第27-28页 |
| 4 电子束蒸发 | 第28-29页 |
| 5 分子束外延 | 第29-30页 |
| 6 原子层外延 | 第30-31页 |
| 7 喷雾热解法 | 第31-32页 |
| 8 溶胶-凝胶法 | 第32-33页 |
| 第二章 薄膜的制备与测量 | 第33-43页 |
| 第一节 ZnO薄膜的制备 | 第33-35页 |
| 1 ZnO薄膜的PLD制备过程 | 第33页 |
| 2 ZnO薄膜的MOCVD制备过程 | 第33-35页 |
| 第二节 ZnO薄膜性质的测量 | 第35-43页 |
| 1 结构特性的测量 | 第35-38页 |
| ·X射线衍射原理 | 第35页 |
| ·X射线衍射方向 | 第35-37页 |
| ·X射线衍射强度 | 第37-38页 |
| 2 光学特性测量 | 第38-39页 |
| ·光致发光谱 | 第38-39页 |
| ·吸收光谱 | 第39页 |
| 3 表面形貌的测量 | 第39-43页 |
| ·AFM介绍 | 第40-41页 |
| ·实验仪器介绍 | 第41-43页 |
| 第三章 结果与讨论 | 第43-66页 |
| 第一节 结构分析 | 第43-50页 |
| 1 ZnO薄膜的结构特性 | 第43-48页 |
| ·PLD方法制备的ZnO薄膜的结构特性 | 第43-46页 |
| ·MOCVD方法制备的ZnO薄膜的结构特性 | 第46-47页 |
| ·小结 | 第47-48页 |
| 2 ZnO薄膜的应力分析 | 第48-50页 |
| 第二节 ZnO薄膜的光谱分析 | 第50-59页 |
| 1 PLD方法制备的ZnO薄膜的光学特性 | 第50-55页 |
| ·光致发光谱 | 第50-53页 |
| ·吸收光谱 | 第53-55页 |
| 2 MOCVD方法制备的ZnO薄膜的光学特性 | 第55-59页 |
| 第三节 衬底温度对ZnO薄膜表面形貌的影响 | 第59-66页 |
| 1 PLD方法在MgAl_2O_4衬底上生长的Zno薄膜 | 第59-63页 |
| 2 MOCVD方法在MgAl_2O_4衬底上生长的ZnO薄膜 | 第63-66页 |
| 第四章 结论 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第77页 |