| 第一章 高κ介质材料及新器件的研究 | 第1-28页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·MOS场效应晶体管 | 第10-16页 |
| ·MOSFET栅介质层SiO_2减薄的问题 | 第11-13页 |
| ·κ材料的要求与选择 | 第13-14页 |
| ·栅氧化物与硅界面 | 第14-15页 |
| ·金属氧化物栅介质材料研究现状 | 第15-16页 |
| ·薄膜晶体管TFT | 第16-22页 |
| ·TFT的应用领域—TFT-LCD显示器 | 第19-21页 |
| ·TFT的应用领域—TFT-AMOLED显示器 | 第21-22页 |
| ·Zn_(1-x)Mg_xO薄膜的基本结构与研究状况 | 第22-23页 |
| ·ZnO基薄膜的制备方法 | 第23-26页 |
| ·溅射法(sputtering) | 第24页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD／PED) | 第24-25页 |
| ·分子束外延(MBE) | 第25-26页 |
| ·电子束蒸发沉积(ED) | 第26页 |
| ·本论文的主要研究内容及其意义 | 第26-28页 |
| 第二章 立方相ZnMgO高κ栅介质材料的研究 | 第28-59页 |
| ·引言 | 第28页 |
| ·材料制备 | 第28-29页 |
| ·C-ZnMgO薄膜结构表征 | 第29-42页 |
| ·SEM剖面形貌表征 | 第29页 |
| ·XRD结构分析 | 第29-32页 |
| ·TEM分析 | 第32-34页 |
| ·X射线光电子能谱(XPS)界面与能带分析 | 第34-41页 |
| ·紫外—近红外透射光谱测试 | 第41-42页 |
| ·C-ZnMgO MIS结构介电表征 | 第42-46页 |
| ·介电常数κ的测试 | 第43-45页 |
| ·介电性能 | 第45-46页 |
| ·C-ZnMgO薄膜MIS结构漏电性能研究 | 第46-49页 |
| ·C-ZnMgO薄膜MIS结构退火性能研究 | 第49-58页 |
| ·AES深度元素分析 | 第49-51页 |
| ·C-V电学测试 | 第51-55页 |
| ·I-V电学测试 | 第55-58页 |
| ·小结 | 第58-59页 |
| 第三章 C-ZnMgO应用于MOS器件的工艺探索 | 第59-70页 |
| ·引言 | 第59-60页 |
| ·ZnMgO MOS器件 | 第60-68页 |
| ·MOSFET制造工艺 | 第60-67页 |
| ·MOSFET性能研究 | 第67-68页 |
| ·工艺流程中存在的问题 | 第68-69页 |
| ·小结 | 第69-70页 |
| 第四章 Medici模拟高κ栅介质材料的MOS器件性能 | 第70-80页 |
| ·引言 | 第70-71页 |
| ·Medici模拟软件介绍 | 第71-72页 |
| ·高κ体硅MOS器件模拟 | 第72-79页 |
| ·Medici模拟的基本器件结构和主要参数 | 第72页 |
| ·高κ体硅MOS器件性能模拟 | 第72-74页 |
| ·D_(fc)与D_(it)对高κ体硅MOS器件性能的影响 | 第74-77页 |
| ·3μm线宽的MOS器件性能模拟 | 第77-79页 |
| ·小结 | 第79-80页 |
| 第五章 ZnMgO透明薄膜晶体管研究 | 第80-101页 |
| ·引言 | 第80-81页 |
| ·TFT晶体管简介 | 第81-82页 |
| ·TFT晶体管电流电压特征方程 | 第82-86页 |
| ·非饱和区的电压-电流特性 | 第83-84页 |
| ·饱和区的电压-电流特性 | 第84-85页 |
| ·TFT晶体管的主要参数 | 第85-86页 |
| ·TFT晶体管有源层ZnMgO材料的研究 | 第86-89页 |
| ·ZnMgO材料XRD结构表征 | 第86-88页 |
| ·紫外—近红外透射光谱 | 第88-89页 |
| ·ZnMgO生长工艺及TFT流片工艺 | 第89-93页 |
| ·材料制备 | 第89页 |
| ·ZnMgO TFT工艺 | 第89-93页 |
| ·器件性能电学表征 | 第93-99页 |
| ·TFT器件电学表征—C-V曲线 | 第93-95页 |
| ·TFT器件电学表征—I-V特性 | 第95-99页 |
| ·小结 | 第99-101页 |
| 第六章 工作总结与展望 | 第101-104页 |
| ·工作总结 | 第101-102页 |
| ·目标展望 | 第102-104页 |
| 参考文献 | 第104-112页 |
| 发表论文及申请专利目录 | 第112-113页 |
| 致谢 | 第113-115页 |
| 简历 | 第115页 |
