MOCVD法生长ZnO及ZnO:N薄膜的性能研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-11页 |
| 第一章 前言 | 第11-13页 |
| 第二章 ZnO薄膜的性质与研究进展 | 第13-32页 |
| ·ZnO的基本性质 | 第13-16页 |
| ·ZnO的晶体结构 | 第14-15页 |
| ·ZnO的电学性质 | 第15-16页 |
| ·ZnO的光学性质 | 第16页 |
| ·ZnO薄膜的应用 | 第16-18页 |
| ·声表面波器件 | 第16-17页 |
| ·太阳能电池 | 第17页 |
| ·气敏元件 | 第17页 |
| ·与GaN互作缓冲层 | 第17-18页 |
| ·光电器件 | 第18页 |
| ·ZnO薄膜的制备方法 | 第18-23页 |
| ·磁控溅射技术 | 第19页 |
| ·喷雾热分解 | 第19-20页 |
| ·分子束外延 | 第20-21页 |
| ·脉冲激光沉积 | 第21-22页 |
| ·金属有机物化学气相沉积 | 第22-23页 |
| ·溶胶凝胶技术 | 第23页 |
| ·ZnO薄膜的掺杂 | 第23-28页 |
| ·n型掺杂 | 第24页 |
| ·p型掺杂 | 第24-28页 |
| ·ZnO基结型器件的研究 | 第28-31页 |
| ·同质p-n结 | 第28-29页 |
| ·异质p-n结 | 第29-31页 |
| ·立题思路 | 第31-32页 |
| 第三章 生长Zno薄膜的MoCVD系统 | 第32-39页 |
| ·MOCVD技术简介 | 第32-33页 |
| ·ZnO生长原材料的选择 | 第33-34页 |
| ·自制MOCVD生长系统 | 第34页 |
| ·实验前的准备工作 | 第34-38页 |
| ·衬底的清洗 | 第36-37页 |
| ·有机源流量计算 | 第37页 |
| ·管路和腔体的冲洗 | 第37-38页 |
| ·材料的表征 | 第38-39页 |
| 第四章 MOCVD外延生长ZnO薄膜 | 第39-50页 |
| ·硅衬底上生长ZnO薄膜 | 第39-42页 |
| ·蓝宝石衬底上生长ZnO薄膜 | 第42-45页 |
| ·蓝宝石衬底上生长ZnO薄膜的结晶特性 | 第42-43页 |
| ·ZnO薄膜与篮宝石衬底的外延关系 | 第43-45页 |
| ·缓冲层对ZnO薄膜生长的影响 | 第45-49页 |
| ·晶体结构特性比较 | 第46-47页 |
| ·表面形貌的比较 | 第47-48页 |
| ·发光特性的比较 | 第48-49页 |
| ·电学性能的比较 | 第49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第五章 掺氮Zno薄膜的性能研究 | 第50-61页 |
| ·掺氮ZnO薄膜的性能研究 | 第51-53页 |
| ·晶体结构分析 | 第51-52页 |
| ·组分分布分析 | 第52页 |
| ·透射谱分析 | 第52-53页 |
| ·衬底温度对ZnO薄膜电学性能的影响 | 第53-55页 |
| ·衬底温度对ZnO薄膜表面形貌的影响 | 第55-57页 |
| ·Zn源流量对ZnO薄膜电学性能的影响 | 第57-58页 |
| ·N源流量对ZnO薄膜电学性能的影响 | 第58-59页 |
| ·本章小结 | 第59-61页 |
| 第六章 结论 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第70页 |
