GaN HEMT外延材料的欧姆接触及其在霍尔测试上的应用
| 第一章 绪论 | 第1-15页 |
| §1—1 GaN材料的研究进展和应用 | 第10-12页 |
| 1-1-1 GaN材料的兴起 | 第10-11页 |
| 1-1-2 GaN材料的应用 | 第11-12页 |
| §1—2 GaN材料欧姆接触的研究进展 | 第12-13页 |
| 1-2-1 n-GaN的欧姆接触 | 第13页 |
| 1-2-2 p-GaN的欧姆接触 | 第13页 |
| §1—3 GaN材料霍尔测试的研究 | 第13-14页 |
| §1—4 本文研究主要内容 | 第14-15页 |
| 第二章 GaN材料的特性 | 第15-24页 |
| §2—1 晶体结构特性 | 第15-19页 |
| 2-1-1 晶体结构 | 第15-16页 |
| 2-1-2 能带结构 | 第16-17页 |
| 2-1-3 GaN的杂质和缺陷 | 第17-18页 |
| 2-1-4 GaN的掺杂 | 第18-19页 |
| §2—2 电学特性及物理化学特性 | 第19页 |
| 2-2-1 电学特性 | 第19页 |
| 2-2-2 物理化学特性 | 第19页 |
| §2—3 极化特性 | 第19-24页 |
| 2-3-1 自发极化 | 第19-21页 |
| 2-3-2 压电极化 | 第21-24页 |
| 第三章 GaN HEMT外延材料的生长 | 第24-33页 |
| §3—1 MOCVD外延生长方法介绍 | 第24-26页 |
| 3-1-1 MOCVD技术及设备介绍 | 第24-25页 |
| 3-1-2 MOCVD技术的生长机制 | 第25-26页 |
| §3—2 GaN HEMT外延材料的生长 | 第26-33页 |
| 3-2-1 衬底的预处理 | 第26-27页 |
| 3-2-2 缓冲层的生长 | 第27-31页 |
| 3-2-2 GaN HEMT外延结构的生长 | 第31-33页 |
| 第四章 欧姆接触的一般制备工艺 | 第33-39页 |
| §4—1 金属与半导体欧姆接触的原理 | 第33-35页 |
| 4-1-1 欧姆接触形成机理 | 第33-34页 |
| 4-1-2 电子传输模型 | 第34-35页 |
| §4—2 GaN欧姆接触概述 | 第35-36页 |
| §4—3 欧姆接触的制备工艺 | 第36-39页 |
| 第五章 欧姆接触的制备及测试分析 | 第39-50页 |
| §5—1 欧姆接触的制备 | 第39页 |
| §5—2 欧姆接触的测试分析 | 第39-45页 |
| 5-2-1 Ⅰ-Ⅴ测试分析 | 第39-40页 |
| 5-2-2 传输线模型 | 第40-43页 |
| 5-2-3 表面形貌分析 | 第43-45页 |
| §5—3 欧姆接触在霍尔测试电极上的应用 | 第45-50页 |
| 5-2-1 霍尔测试原理 | 第45-47页 |
| 5-2-2 霍尔测试样品的制备 | 第47页 |
| 5-2-3 测试及结果分析 | 第47-50页 |
| 第六章 结论 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第55页 |
