MOCVD法制备ZnO量子点及其性能研究
摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-7页 |
目录 | 第7-9页 |
第一章 前言 | 第9-11页 |
第二章 ZnO量子点的性质与研究进展 | 第11-29页 |
·ZnO材料的基本特点 | 第11页 |
·ZnO量子点的激子能态 | 第11-13页 |
·ZnO量子点的量子效应 | 第13-15页 |
·表面效应 | 第13-14页 |
·量子限域效应 | 第14页 |
·量子尺寸效应 | 第14-15页 |
·ZnO量子点的光学性能 | 第15-20页 |
·光吸收特性 | 第15-16页 |
·发光特性 | 第16-17页 |
·非线性光学特性 | 第17-18页 |
·红移 | 第18-19页 |
·拉曼光谱 | 第19-20页 |
·ZnO量子点的电学特性 | 第20-21页 |
·ZnO量子点的应用 | 第21-22页 |
·量子点激光器 | 第21-22页 |
·单电子隧穿器件(单电子晶体管) | 第22页 |
·ZnO量子点的生长机制 | 第22-24页 |
·选择性生长 | 第22-23页 |
·自组织生长 | 第23-24页 |
·ZnO量子点的制备技术 | 第24-27页 |
·金属有机化学气相沉积 | 第24-25页 |
·脉冲激光沉积法(PLD) | 第25页 |
·分子束外延(MBE) | 第25-26页 |
·反应电子束蒸发 | 第26页 |
·化学方法 | 第26-27页 |
·制备ZnO量子点的难点 | 第27-29页 |
第三章 MOCVD法生长ZnO量子点 | 第29-38页 |
·MOCVD技术简介 | 第29-32页 |
·金属有机化合物 | 第29页 |
·MOCVD的装置 | 第29-30页 |
·MOCVD技术的应用 | 第30-31页 |
·MOCVD技术的新进展 | 第31-32页 |
·MOCVD生长ZnO量子点 | 第32-37页 |
·实验室所用的MOCVD系统 | 第32-33页 |
·衬底清洗 | 第33-34页 |
·有机源流量计算 | 第34-35页 |
·管路和腔体的冲洗 | 第35-36页 |
·ZnO量子点的生长步骤 | 第36页 |
·生长动力学控制和工艺优化 | 第36-37页 |
·材料的表征 | 第37-38页 |
第四章 ZnO量子点的性能研究 | 第38-45页 |
·晶体结构分析(XRD) | 第38-40页 |
·成分分析(EDS) | 第40页 |
·形貌分析(SEM和AFM) | 第40-43页 |
·光致发光光谱(PL)分析 | 第43-44页 |
·本章小结 | 第44-45页 |
第五章 不同条件对ZnO量子点形貌的影响 | 第45-63页 |
·衬底温度对ZnO量子点形貌的影响 | 第45-48页 |
·生长时间对ZnO量子形貌的影响 | 第48-52页 |
·Zn源流量对ZnO量子点形貌的影响 | 第52-54页 |
·Zn源气流方向对ZnO量子点形貌的影响 | 第54-56页 |
·不同氧源对ZnO量子点形貌的影响 | 第56-61页 |
·等离子增强对ZnO量子点形貌的影响 | 第61-62页 |
·本章小结 | 第62-63页 |
第六章 结论 | 第63-65页 |
参考文献 | 第65-68页 |
致谢 | 第68-69页 |
硕士期间发表的论文 | 第69页 |