MOCVD法生长磷掺杂p型ZnO薄膜及其性质研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 前言 | 第10-12页 |
| 第二章 文献综述 | 第12-32页 |
| ·ZnO的基本性质 | 第12-15页 |
| ·ZnO的制备 | 第15-20页 |
| ·体材料的生长 | 第15页 |
| ·磁控溅射技术 | 第15-16页 |
| ·分子束外延 | 第16页 |
| ·脉冲激光沉积法 | 第16页 |
| ·金属有机化学气相沉积 | 第16-20页 |
| ·ZnO的性能与应用 | 第20-23页 |
| ·ZnO的光电特性 | 第20-22页 |
| ·ZnO的压电和热电特性 | 第22-23页 |
| ·ZnO的铁电和铁磁特性 | 第23页 |
| ·ZnO的缺陷与掺杂 | 第23-30页 |
| ·ZnO中的本征缺陷 | 第23-24页 |
| ·ZnO中的非故意掺杂 | 第24-26页 |
| ·ZnO中的施主掺杂 | 第26-27页 |
| ·ZnO中的受主掺杂 | 第27-30页 |
| ·立题思路及主要研究工作 | 第30-32页 |
| 第三章 MOCVD沉积系统 | 第32-39页 |
| ·MOCVD材料生长机理 | 第32页 |
| ·MO源的选取及流量控制 | 第32-35页 |
| ·MO源的选取 | 第32-34页 |
| ·MO源流量的控制 | 第34-35页 |
| ·本实验的MOCVD系统 | 第35-39页 |
| 第四章 p型ZnO薄膜的制备 | 第39-41页 |
| ·清洗衬底 | 第39页 |
| ·沉积样品 | 第39-40页 |
| ·ZnO薄膜的表征 | 第40-41页 |
| 第五章 ZnO薄膜的性能测试 | 第41-56页 |
| ·ZnO薄膜结晶质量 | 第41-44页 |
| ·衬底温度对ZnO薄膜结晶质量的影响 | 第41-42页 |
| ·气体流量对p型ZnO薄膜结晶质量的影响 | 第42-44页 |
| ·ZnO薄膜电学性能 | 第44-49页 |
| ·衬底温度对ZnO薄膜电学性能的影响 | 第44-47页 |
| ·气体流量对p型ZnO薄膜电学性能的影响 | 第47-49页 |
| ·ZnO薄膜杂质的掺入 | 第49-51页 |
| ·ZnO薄膜光学性能 | 第51-54页 |
| ·退火对ZnO薄膜性能的影响 | 第54-56页 |
| 第六章 结论 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第64页 |
