| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 前言 | 第8-9页 |
| 第二章 文献综述 | 第9-32页 |
| 2．1 引言 | 第9-10页 |
| 2．2 ZnO的研究进展 | 第10-13页 |
| 2．2．1 ZnO的一些本物理化学性质 | 第10-11页 |
| 2．2．2 发光性能的研究 | 第11-12页 |
| 2．2．3 电学性能的研究 | 第12-13页 |
| 2．3 ZnO中的缺陷和杂质 | 第13-24页 |
| 2．3．1 ZnO薄膜中的点缺陷 | 第13-18页 |
| 2．3．2 ZnO中的杂质缺陷 | 第18-24页 |
| 2．4 p型ZnO的研究进展 | 第24-29页 |
| 2．4．1 以V族元素为受主源 | 第24-28页 |
| 2．4．2 以I族元素为受主源 | 第28-29页 |
| 2．5 ZnO薄膜的应用及前景 | 第29-32页 |
| 2．5．1．ZnO薄膜在光电器件方面的应用 | 第29-30页 |
| 2．5．2．ZnO薄膜在声表面波器件方面的应用 | 第30页 |
| 2．5．3．ZnO薄膜在太阳能电池方面的应用 | 第30页 |
| 2．5．4．ZnO薄膜在气敏元件方面的应用 | 第30-31页 |
| 2．5．5．ZnO与GaN互作缓冲层 | 第31-32页 |
| 第三章 实验过程和设备及测试 | 第32-39页 |
| 3．1 直流磁控溅射(DCMS)方法简介 | 第32页 |
| 3．2 S型枪直流反应磁控溅射设备 | 第32-34页 |
| 3．3 溅射靶材 | 第34-35页 |
| 3．4 ZnO薄膜生长衬底(基片)的清洗 | 第35页 |
| 3．5 直流反应磁控溅射制备ZnO薄膜的过程 | 第35-37页 |
| 3．6 ZnO薄膜物理性能测试 | 第37页 |
| 3．6．1 物相组成与结构 | 第37页 |
| 3．6．2 表面形貌、晶粒尺寸和膜厚 | 第37页 |
| 3．7 ZnO薄膜电学性能测试 | 第37-38页 |
| 3．8 ZnO薄膜光透射谱测试 | 第38-39页 |
| 第四章 直流磁控溅射制备p型In-N共掺ZnO晶体薄膜 | 第39-49页 |
| 4．1 ZnO薄膜中晶粒的取向性 | 第39-41页 |
| 4．1．1 溅射靶材中In元素的影响 | 第39-40页 |
| 4．1．2 衬底温度的影响 | 第40-41页 |
| 4．2 ZnO薄膜的表面形貌 | 第41-43页 |
| 4．2．1 靶材中In含量的影响 | 第41-42页 |
| 4．2．2 衬底温度的影响 | 第42-43页 |
| 4．3 ZnO薄膜截面形貌 | 第43页 |
| 4．4 共掺ZnO薄膜的电光学性能 | 第43-48页 |
| 4．4．1 共掺和非共掺对电学性能的影响 | 第43-45页 |
| 4．4．2 衬底温度对电学性能的影响 | 第45-46页 |
| 4．4．3 衬底温度对光学性能的影响 | 第46-48页 |
| 4．5 小结 | 第48-49页 |
| 第五章 p型ZnO的共掺机理 | 第49-54页 |
| 5．1 Yamamoto的共掺理论 | 第49-51页 |
| 5．2 Y．F．Yan的共掺理论 | 第51-54页 |
| 第六章 结论 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-60页 |
| 攻读硕士学位期间发表或被录用的论文 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61页 |