| 引言 | 第1-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-29页 |
| ·半导体中的杂质和缺陷 | 第9-15页 |
| ·杂质和缺陷的分类 | 第9-10页 |
| ·杂质能级在半导体中的特点 | 第10-12页 |
| ·半导体中杂质的作用 | 第12-13页 |
| ·半导体缺陷研究的实验方法 | 第13-15页 |
| ·Ⅱ-Ⅵ族化合物的特点、化学计量比控制与自补偿效应 | 第15-24页 |
| ·Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料基本特性 | 第15-17页 |
| ·纤锌矿型结构的一般特点 | 第17-18页 |
| ·Ⅱ-Ⅵ族化合物体系的相平衡与化学计量比控制 | 第18-20页 |
| ·Ⅱ-Ⅵ族化合物的点缺陷及自补偿效应的传统解释 | 第20-24页 |
| ·CdSe晶体气相生长过程的化学配比控制及自补偿效应模型 | 第24-27页 |
| ·CdSe晶体气相生长过程 | 第24-26页 |
| ·CdSe晶体的点缺陷 | 第26-27页 |
| ·室温半导体核辐射探测器材料-CdSe单晶体 | 第27-28页 |
| ·本论文的选题思想 | 第28-29页 |
| 第二章 硒化镉单晶体缺陷的变温霍尔效应研究 | 第29-41页 |
| ·霍尔效应 | 第29-34页 |
| ·霍尔测量原理 | 第29-31页 |
| ·霍尔效应中的半导体载流子散射机制 | 第31-32页 |
| ·霍尔效应的副效应 | 第32-33页 |
| ·影响霍尔测量准确性的重要因素 | 第33-34页 |
| ·CdSe单晶体的变温霍尔效应研究 | 第34-40页 |
| ·霍尔参数测量 | 第34-35页 |
| ·CdSe晶体测试结果分析 | 第35-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第三章 硒化镉单晶体的退火研究 | 第41-55页 |
| ·退火实验 | 第41-43页 |
| ·退火用石英安瓿的设计 | 第41-42页 |
| ·退火工艺 | 第42-43页 |
| ·CdSe单晶体的正电子湮没谱研究 | 第43-48页 |
| ·正电子湮没谱仪工作原理 | 第43-44页 |
| ·正电子湮没技术的特点 | 第44页 |
| ·正电子湮没的二重态捕获模型 | 第44-46页 |
| ·CdSe晶体测试结果分析 | 第46-48页 |
| ·CdSe晶体的傅立叶变换红外光谱研究 | 第48-52页 |
| ·CdSe晶体红外测试结果分析 | 第49-52页 |
| ·CdSe单晶体的自补偿效应 | 第52-53页 |
| ·CdSe单晶体的气相生长与点缺陷性质之间的联系 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第四章 结论 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 硕士期间发表的论文及参与的科研项目 | 第60-61页 |
| 声明 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62页 |