| 第一章 绪论 | 第1-20页 |
| §1-1 引言 | 第8-9页 |
| §1-2 硅中氧的性质 | 第9-15页 |
| 1-2-1 直拉硅中氧的性质及作用 | 第9-10页 |
| 1-2-2 氧在硅中的扩散 | 第10-11页 |
| 1-2-3 氧沉淀 | 第11-14页 |
| 1-2-4 直拉硅的本征吸除效应 | 第14-15页 |
| §1-3 直拉硅中氮的性质 | 第15-18页 |
| 1-3-1 氮的引入 | 第15-16页 |
| 1-3-2 氮对单晶性能的影响 | 第16-17页 |
| 1-3-3 氮氧复合体 | 第17-18页 |
| §1-4 辐照缺陷的产生以及对硅片的作用 | 第18-19页 |
| 1-4-1 辐照缺陷的产生 | 第18页 |
| 1-4-2 辐照缺陷对硅中氧沉淀影响 | 第18-19页 |
| §1-5 本文主要研究内容 | 第19-20页 |
| 第二章 实验方法 | 第20-25页 |
| §2-1 样品的选择 | 第20页 |
| §2-2 样品的辐照 | 第20-21页 |
| §2-3 热处理 | 第21-22页 |
| 2-3-1 常规热处理 | 第21页 |
| 2-3-2 快速热处理(RTP) | 第21-22页 |
| §2-4 观察与测试 | 第22-25页 |
| 2-4-1 缺陷形貌观察 | 第22页 |
| 2-4-2 傅立叶红外光谱(FTIR)测试 | 第22-25页 |
| 第三章 快中子辐照掺氮直拉硅中氧沉淀及清洁区研究 | 第25-36页 |
| §3-1 引言 | 第25页 |
| §3-2 实验过程 | 第25-26页 |
| §3-3 结果与讨论 | 第26-34页 |
| 3-3-1 快中子辐照掺氮直拉硅中氧沉淀的常温红外光谱研究 | 第26-27页 |
| 3-3-2 快中子辐照掺氮直拉硅中氧沉淀的低温红外光谱研究 | 第27-29页 |
| 3-3-3 快中子辐照掺氮直拉硅中氧沉淀及诱生缺陷形貌 | 第29-34页 |
| §3-4 小结 | 第34-36页 |
| 第四章 快速热处理对快中子辐照掺氮直拉硅中氧沉淀的影响 | 第36-42页 |
| §4-1 引言 | 第36页 |
| §4-2 实验过程 | 第36-37页 |
| §4-3 实验结果与讨论 | 第37-41页 |
| 4-3-1 RTP对不同辐照剂量样品间隙氧含量的影响 | 第37页 |
| 4-3-2 RTP对快中子辐照掺氮直拉硅中氧沉淀进程的影响 | 第37-38页 |
| 4-3-3 RTP对快中子辐照掺氮直拉硅中清洁区宽度的影响 | 第38-41页 |
| §4-4 小结 | 第41-42页 |
| 第五章 氮气氛退火对快中子辐照直拉硅中氧沉淀的影响 | 第42-52页 |
| §5-1 引言 | 第42页 |
| §5-2 实验过程 | 第42-43页 |
| §5-3 实验结果与讨论 | 第43-51页 |
| 5-3-1 氮气氛退火对快中子辐照直拉硅中氧沉淀进程的影响 | 第43页 |
| 5-3-2 氮气氛退火样品中的氧沉淀及诱生缺陷形貌 | 第43-46页 |
| 5-3-3 氮气氛退火直拉硅样品的低温红外研究 | 第46-49页 |
| 5-3-4 2850、2920cm~(-1)吸收峰的研究 | 第49-51页 |
| §5-4 小结 | 第51-52页 |
| 第六章 结论 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第57页 |
