| 摘要 | 第1-3页 |
| Abstract | 第3-6页 |
| 第一章 二氧化硅薄膜的生长技术 | 第6-17页 |
| §1.1 简介 | 第6页 |
| §1.2 热氧化法 | 第6-7页 |
| §1.2.1 干氧氧化 | 第6-7页 |
| §1.2.2 水汽氧化 | 第7页 |
| §1.2.3 湿氧氧化 | 第7页 |
| §1.3 化学气相沉积法(CVD) | 第7-11页 |
| §1.3.1 传统CVD | 第8-10页 |
| §1.3.2 等离子体增强CVD(PECVD) | 第10-11页 |
| §1.4 常压等离子体增强CVD生长二氧化硅薄膜的研究现状 | 第11-16页 |
| §1.4.1 等离子体简介 | 第11-12页 |
| §1.4.2 常压等离子体技术 | 第12-13页 |
| §1.4.3 介质阻挡放电(DBD)法生长二氧化硅薄膜 | 第13-14页 |
| §1.4.4 常压射频等离子体法生长二氧化硅薄膜 | 第14-16页 |
| §1.5 本文的主要工作 | 第16-17页 |
| 第二章 实验方法的建立 | 第17-25页 |
| §2.1 射频电源 | 第17-20页 |
| §2.2 等离子体放电装置 | 第20-22页 |
| §2.3 水冷系统 | 第22页 |
| §2.4 进气系统 | 第22-23页 |
| §2.5 光谱测试设备 | 第23-24页 |
| §2.6 实验原料及样品 | 第24-25页 |
| 第三章 常压射频冷等离子体在硅衬底上生长二氧化硅薄膜的实验研究 | 第25-34页 |
| §3.1 二氧化硅薄膜成分分析结果 | 第25-26页 |
| §3.2 输入功率对生长速率的影响 | 第26-27页 |
| §3.3 氧气对生长速率的促进作用 | 第27-28页 |
| §3.4 氧气流量对生长速率的影响 | 第28-29页 |
| §3.5 光谱分析结果 | 第29-34页 |
| 第四章 常压射频冷等离子体在聚酰氩胺薄膜衬底上生长二氧化硅薄膜的实验研究 | 第34-39页 |
| 第五章 总结 | 第39-40页 |
| 参考文献 | 第40-42页 |
| 附录 | 第42-44页 |
| 致谢 | 第44页 |
