| 摘要 | 第1-5页 |
| 目录 | 第5-9页 |
| 第一章 文献综述 | 第9-28页 |
| 1．1 引言 | 第9-10页 |
| 1．2 SnO_2薄膜的特性 | 第10-11页 |
| 1．2．1 SnO_2薄膜的晶体结构 | 第10-11页 |
| 1．2．2 SnO_2薄膜的光电特性 | 第11页 |
| 1．2．3 SnO_2的物理化学特性 | 第11页 |
| 1．3 SnO_2薄膜的应用 | 第11-14页 |
| 1．3．1 太阳能电池 | 第12页 |
| 1．3．2 光电子器件 | 第12-13页 |
| 1．3．3 薄膜电阻器 | 第13页 |
| 1．3．4 透明电极 | 第13页 |
| 1．3．5 其他用途 | 第13-14页 |
| 1．4 SnO_2薄膜的制备方法简介 | 第14-21页 |
| 1．4．1 磁控溅射法(Magnetron Sputtering) | 第14-15页 |
| 1．4．2 化学气相沉积法(CVD) | 第15-18页 |
| 1．4．3 脉冲激光沉积(PLD) | 第18-19页 |
| 1．4．4 溶胶凝胶法(Sol-gel) | 第19-21页 |
| 1．4．5 喷雾热解法(Spraying—Pyrolysis) | 第21页 |
| 1．5 掺杂SnO_2薄膜的n型掺杂研究进展 | 第21-24页 |
| 1．5．1 氟掺杂 | 第22-23页 |
| 1．5．2 磷掺杂 | 第23页 |
| 1．5．3 锑掺杂 | 第23-24页 |
| 1．5．4 其他掺杂 | 第24页 |
| 1．6 SnO_2薄膜p型掺杂研究进展 | 第24-26页 |
| 1．6．1 p型掺杂机理 | 第24页 |
| 1．6．2 p型掺杂TCO薄膜的研究进展 | 第24-26页 |
| 1．7 本文研究的目的及意义 | 第26页 |
| 1．8 本章小结 | 第26-28页 |
| 第二章 喷雾热解成膜原理及工艺 | 第28-33页 |
| 2．1 喷雾热解法制备薄膜的原理 | 第28-29页 |
| 2．2 喷雾热解法制备SnO_2及掺杂薄膜的工艺 | 第29-32页 |
| 2．2．1 前驱体溶液的制备 | 第30页 |
| 2．2．2 前驱体的雾化及热解沉积 | 第30-31页 |
| 2．2．3 薄膜的热处理 | 第31-32页 |
| 2．3 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 喷雾热解法中各工艺参数对薄膜性质的影响 | 第33-37页 |
| 3．1 前驱体溶液制备工艺的影响 | 第33-34页 |
| 3．1．1 前驱体溶液制备工艺的影响 | 第33页 |
| 3．1．2 前驱体溶液性质的影响 | 第33-34页 |
| 3．2 喷涂速度和时间的影响 | 第34页 |
| 3．3 衬底的影响 | 第34-35页 |
| 3．4 喷嘴与衬底间的距离 | 第35页 |
| 3．5 热处理制度的影响 | 第35-36页 |
| 3．5．1 升温速率 | 第35页 |
| 3．5．2 热处理温度与保温时间 | 第35-36页 |
| 3．5．3 降温速率 | 第36页 |
| 3．6 本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 喷雾热解法制备铟锡氧化物透明导电薄膜 | 第37-39页 |
| 4．1 引言 | 第37页 |
| 4．2 实验 | 第37-38页 |
| 4．2．1 实验设备 | 第37页 |
| 4．2．2 实验原料 | 第37页 |
| 4．2．3 实验主要步骤 | 第37-38页 |
| 4．3 本章小结 | 第38-39页 |
| 第五章 喷雾热解法制备铟锡氧化物透明导电薄膜的性能测试 | 第39-52页 |
| 5．1 引言 | 第39页 |
| 5．2 铟锡氧化物透明导电薄膜的性能分析 | 第39-43页 |
| 5．2．1 热处理温度对薄膜结晶性能的影响 | 第40-41页 |
| 5．2．2 In/Sn比对薄膜结晶状性能的影响 | 第41-43页 |
| 5．3 薄膜的表面形貌特征 | 第43-44页 |
| 5．4 掺铟氧化锡透明导电薄膜的光学性能 | 第44-45页 |
| 5．5 掺铟氧化锡透明导电薄膜的电学性能 | 第45-49页 |
| 5．5．1 In/Sn比对薄膜电学性能的影响 | 第45-47页 |
| 5．5．2 热处理温度对薄膜电学性能的影响 | 第47-49页 |
| 5．6 SnIn_(0．2)O_x薄膜的XPS(X-ray photon spectrum)测试 | 第49-50页 |
| 5．6．1 XPS测试原理 | 第49-50页 |
| 5．6．2 铟锡氧化物薄膜的XPS测试结果 | 第50页 |
| 5．7 本章小结 | 第50-52页 |
| 第六章 雾热解法制备p型铟镓共掺氧化锡透明导电薄膜 | 第52-60页 |
| 6．1 引言 | 第52页 |
| 6．2 实验 | 第52-53页 |
| 6．2．1 实验设备 | 第52页 |
| 6．2．2 实验原料 | 第52-53页 |
| 6．2．3 实验步骤 | 第53页 |
| 6．3 铟镓共掺氧化锡薄膜的性能测试 | 第53-59页 |
| 6．3．1 铟镓共掺氧化锡薄膜的晶体结构 | 第53-55页 |
| 6．3．2 铟镓共掺氧化锡薄膜的光学性能 | 第55-56页 |
| 6．3．3 铟镓共掺氧化锡薄膜的电学性能 | 第56-57页 |
| 6．3．4 铟镓共掺氧化锡薄膜的XPS测试分析 | 第57-58页 |
| 6．3．5 SnO_2∶In与SnO_2∶(In，Ga)薄膜电学性能比较 | 第58-59页 |
| 6．4 本章小结 | 第59-60页 |
| 第七章 结论 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-67页 |
| 攻读硕士期间公开发表的学术论文 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
