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基于半导体化合物材料的全光开关研究

第一章 绪论第1-23页
 1.1 引言第7-8页
 1.2 全光网络的发展第8-9页
 1.3 光开关技术及其进展第9-15页
 1.4 超高速光控型光开关的研制第15-20页
 1.5 本论文的研究目的与内容第20-21页
 参考文献第21-23页
第二章 光控型光开关工作机理分析第23-34页
 2.1 基于GaAs薄膜材料光致折射率模型第23-26页
 2.2 基于GaAs/GaAsAl量子阱材料光致折射率模型分析第26-31页
 2.3 小结第31-32页
 参考文献第32-34页
第三章 多量子阱光波导研究第34-47页
 3.1 多量子阱光波导传输与色散特性分析第34-39页
 3.2 多量子阱材料脊形波导分析第39-44页
 3.3 小结第44-46页
 参考文献第46-47页
第四章 全光开关器件结构设计第47-55页
 4.1 模式抑制型全光开关设计第47-52页
 4.2 其他几种结构的全光开关第52-53页
 4.3 小结第53-54页
 参考文献第54-55页
第五章 器件制作与测试第55-77页
 5.1 材料生长第55-58页
 5.2 器件制作工艺流程第58-71页
 5.3 器件测试第71-76页
 参考文献第76-77页
第六章 总结与展望第77-81页
 6.1 总结第77-78页
 6.2 展望第78-80页
 参考文献第80-81页
致谢第81-82页
附录第82页

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