| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-17页 |
| ·引言 | 第8页 |
| ·SOI技术主要优点 | 第8-9页 |
| ·SOI技术中存在的问题 | 第9-12页 |
| ·翘曲效应 | 第9-10页 |
| ·寄生晶体管效应 | 第10-11页 |
| ·SOI器件的总剂量辐照效应 | 第11-12页 |
| ·国内外研究现状及发展趋势 | 第12-15页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第15-17页 |
| 第二章 SOI器件总剂量辐照效应研究综述 | 第17-29页 |
| ·MOS结构的总剂量辐照效应 | 第17-21页 |
| ·辐射在MOS结构中引入的缺陷机理 | 第17-19页 |
| ·MOS电容的电离辐照效应表征 | 第19-21页 |
| ·MOSFET／SOI器件的总剂量辐照效应 | 第21-28页 |
| ·PD MOSFET／SOI器件的总剂量辐照效应 | 第21-24页 |
| ·SOI材料绝缘埋层的总剂量辐照效应 | 第24-26页 |
| ·SOI器件总剂量辐照响应与偏置依赖关系 | 第26-27页 |
| ·SOI材料的总剂量加固 | 第27-28页 |
| ·小结 | 第28-29页 |
| 第三章 改性SIMOX SOI材料的制备 | 第29-41页 |
| ·引言 | 第29页 |
| ·氧氮共注与注氮SIMOX SOI材料的制备 | 第29-31页 |
| ·XTEM分析 | 第31-32页 |
| ·SIMS分析 | 第32-37页 |
| ·XPS分析 | 第37-38页 |
| ·EPR分析 | 第38-39页 |
| ·本章小结 | 第39-41页 |
| 第四章 改性SIMOX SOI器件的总剂量辐照效应 | 第41-62页 |
| ·MOS及SIS结构的总剂量辐照效应表征 | 第41-48页 |
| ·MOS／SOI器件总剂量辐照效应表征 | 第41-47页 |
| ·讨论 | 第47-48页 |
| ·PD MOSFET／SOI器件总剂量辐照效应 | 第48-59页 |
| ·PD NMOSFET／SOI的总剂量辐照效应测试 | 第49-55页 |
| ·PD PMOSFET／SOI器件总剂量辐照效应 | 第55-59页 |
| ·分析讨论 | 第59-60页 |
| ·小结 | 第60-62页 |
| 第五章 PD NMOSFET／SOI器件的总剂量辐照响应的模拟与实验研究 | 第62-74页 |
| ·总剂量辐射模型 | 第62-64页 |
| ·模拟结果与分析讨论 | 第64-69页 |
| ·总剂量辐照试验 | 第69-73页 |
| ·试验条件 | 第69页 |
| ·PD NMOSFET／SOI器件寄生背栅晶体管辐照偏置响应试验结果 | 第69-73页 |
| ·小结 | 第73-74页 |
| 第六章 BUSFET／SOI器件的总剂量辐照效应模拟研究 | 第74-81页 |
| ·引言 | 第74页 |
| ·器件结构 | 第74-75页 |
| ·器件模型与参数选取 | 第75-76页 |
| ·总剂量效应模拟 | 第76-80页 |
| ·小结 | 第80-81页 |
| 第七章 SIMOX-SOI材料总剂量辐照效应的Pseudo-MOS表征方法 | 第81-93页 |
| ·引言 | 第81页 |
| ·Pseudo-MOS表征方法的基本原理 | 第81-87页 |
| ·测试原理 | 第81-84页 |
| ·Ψ-MOSFET参数的提取 | 第84-86页 |
| ·Pseudo-MOS分离电荷机理 | 第86-87页 |
| ·SIMOX SOI材料总剂量辐照效应的Pseudo-MOS方法表征 | 第87-91页 |
| ·样品制备 | 第87-88页 |
| ·辐照试验与表征测试 | 第88页 |
| ·实验结果与分析 | 第88-91页 |
| ·小结 | 第91-93页 |
| 第八章 结论 | 第93-95页 |
| 参考文献 | 第95-107页 |
| 攻读博士期间发表的论文目录 | 第107-110页 |
| 致谢 | 第110-112页 |
| 个人简历 | 第112-113页 |
| 学位论文独创性声明 | 第113页 |
| 学位论文使用授权声明 | 第113页 |
