| 第一章 绪论 | 第1-16页 |
| 1．1 概述 | 第13页 |
| 1．2 常用测试方法 | 第13-15页 |
| 1．3 论文的工作 | 第15页 |
| 1．4 论文工作意义 | 第15页 |
| 1．5 论文的结构 | 第15-16页 |
| 第二章 载流子输运 | 第16-27页 |
| 2．1 非平衡载流子的注入与复合 | 第16-19页 |
| 2．1．1 直接复合 | 第16-17页 |
| 2．1．2 间接复合 | 第17-18页 |
| 2．1．3 表面复合 | 第18-19页 |
| 2．2 载流子的漂移 | 第19-22页 |
| 2．2．1 迁移率 | 第19-20页 |
| 2．2．2 漂移电流 | 第20-22页 |
| 2．3 载流子的扩散 | 第22页 |
| 2．4 总电流 | 第22-24页 |
| 2．5 连续性方程 | 第24-27页 |
| 第三章 P-N结二极管及PIN二极管 | 第27-42页 |
| 3．1 p-n结的形成及热平衡状态 | 第27-32页 |
| 3．2 p-n结的非平衡状态 | 第32-39页 |
| 3．2．1 非平衡时的载流子与电流密度 | 第32-33页 |
| 3．2．2 准费米能级 | 第33-34页 |
| 3．2．3 p-n结理想伏安特性 | 第34-36页 |
| 3．2．4 大注入及产生复合 | 第36-39页 |
| 3．3 电荷存贮 | 第39-40页 |
| 3．4 PIN二极管 | 第40-42页 |
| 第四章 常用测试方法及改进 | 第42-63页 |
| 4．1 阶越反向恢复法及储存电荷法测量 PN结二极管 | 第42-54页 |
| 4．2 PIN二极管的测试方法 | 第54-59页 |
| 4．2．1 线性恢复法 | 第54-57页 |
| 4．2．2 开路电压衰减法(OCVD) | 第57-58页 |
| 4．2．3 基于频率特性的方法 | 第58-59页 |
| 4．3 用表面光电压法测量抛光单晶片少子寿命 | 第59-63页 |
| 第五章 Medici介绍及模拟结果 | 第63-67页 |
| 5．1 Medici软件简介 | 第63-64页 |
| 5．2 验证电荷控制法的修正 | 第64-65页 |
| 5．3 验证连续性方程得到的结果 | 第65-67页 |
| 第六章 结束语 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-71页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第71页 |