用于FBAR的PZT薄膜制备研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| 目录 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-43页 |
| ·薄膜体声波谐振器(FBAR) | 第7-16页 |
| ·FBAR的结构及工作原理 | 第9-10页 |
| ·FBAR的技术相关及研究现状 | 第10-16页 |
| ·铁电体压电材料PZT | 第16-42页 |
| ·压电的基本理论 | 第16-21页 |
| ·压电材料的发展与应用[49，50，51] | 第21-22页 |
| ·PZT的基本理论 | 第22-25页 |
| ·PZT薄膜的制备方法 | 第25-38页 |
| ·PZT薄膜的结构和性能与薄膜制备条件的关系 | 第38页 |
| ·PZT薄膜的应用 | 第38-42页 |
| ·本课题的研究内容 | 第42-43页 |
| 第二章 射频磁控溅射法制备PZT薄膜 | 第43-61页 |
| ·实验仪器 | 第43-45页 |
| ·PZT薄膜的制备过程 | 第45页 |
| ·制备PZT薄膜的工艺条件 | 第45-46页 |
| ·PZT薄膜结构性能测试与分析 | 第46-60页 |
| ·溅射气氛对薄膜结晶性能的影响 | 第46-53页 |
| ·衬底薄膜结构的影响 | 第53-56页 |
| ·后续热处理工艺对薄膜结晶性能的影响 | 第56-60页 |
| ·射频磁控溅射法制备PZT薄膜小结 | 第60-61页 |
| 第三章 Sol-Gel法制备PZT薄膜 | 第61-68页 |
| ·不同锆钛比PZT薄膜的制备及结构分析 | 第61-65页 |
| ·溶胶的配制 | 第61-62页 |
| ·匀胶，烘烤，形成非晶薄膜 | 第62页 |
| ·PZT非晶膜的高温退火处理 | 第62页 |
| ·不同锆钛比PZT薄膜的结构分析 | 第62-65页 |
| ·以ITO为衬底的PZT薄膜制备与结构分析 | 第65-67页 |
| ·溶胶的配制 | 第65页 |
| ·匀胶，烘烤，形成非晶薄膜 | 第65页 |
| ·PZT非晶膜的高温退火处理 | 第65-66页 |
| ·以ITO为衬底的PZT薄膜结构分析 | 第66-67页 |
| ·Sol-Gel法制备PZT薄膜小结 | 第67-68页 |
| 第四章 总结与展望 | 第68-71页 |
| ·已完成工作总结 | 第68-69页 |
| ·本文创新点 | 第69页 |
| ·不足之处和将来工作 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-74页 |
| 致谢 | 第74页 |
