纳米多孔氮化镓制备及氮化镓干法刻蚀损伤回复研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-13页 |
| 第二章 文献综述 | 第13-28页 |
| ·GaN材料的性质 | 第13-16页 |
| ·CaN的相态与结构 | 第13-14页 |
| ·电学特性 | 第14-15页 |
| ·光学特性 | 第15-16页 |
| ·GaN材料生长面临的问题及研究进展 | 第16-18页 |
| ·多孔GaN材料研究现状 | 第18-21页 |
| ·GaN材料的干法刻蚀损伤与回复研究现状 | 第21-28页 |
| 第三章 纳米多孔GaN材料研究 | 第28-39页 |
| ·阳极氧化法制备AAO掩模 | 第28-30页 |
| ·ICP刻蚀法制备多孔GaN | 第30-33页 |
| ·多孔GaN表面应力和光学特性测试 | 第33-35页 |
| ·不同孔径和孔深的材料性能比较 | 第35-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 GaN干法刻蚀损伤与回复 | 第39-50页 |
| ·ICP刻蚀损伤对GaN材料的影响 | 第39-42页 |
| ·表面粗糙度增大 | 第39-40页 |
| ·电学特性变差 | 第40-41页 |
| ·光学特性变差 | 第41-42页 |
| ·ICP刻蚀损伤修复 | 第42-48页 |
| ·具体实施方式 | 第43-44页 |
| ·测试结果与分析 | 第44-46页 |
| ·与其它回复方法的比较 | 第46-48页 |
| ·回复机理分析 | 第48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 第五章 总结及展望 | 第50-52页 |
| ·全文总结 | 第50-51页 |
| ·前景展望 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |
| 附录 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 作者简历 | 第58-59页 |
| 学位论文独创性声明 | 第59页 |
| 学位论文使用授权声明 | 第59页 |
