| 第一章 绪论 | 第1-15页 |
| §1-1 GaAs材料与器件 | 第10-11页 |
| §1-2 GaAs薄膜生长和表面再构 | 第11-12页 |
| §1-3 GaAs(111)B材料 | 第12-13页 |
| §1-4 主要研究内容 | 第13-15页 |
| 第二章 分子束外延 | 第15-25页 |
| §2-1 引言 | 第15-16页 |
| §2-2 固态源MBE生长设备 | 第16-18页 |
| §2-3 MBE材料生长 | 第18-21页 |
| 2-3-1 MBE的动力学模型 | 第18-19页 |
| 2-3-2 生长热力学与局部平衡态 | 第19页 |
| 2-3-3 GaAs生长与粘附系数 | 第19-21页 |
| §2-4 反射式高能电子衍射(RHEED) | 第21-23页 |
| §2-5 衬底处理 | 第23-25页 |
| 2-5-1 衬底清洗 | 第23-24页 |
| 2-5-2 衬底预处理 | 第24页 |
| 2-5-3 脱氧化膜 | 第24页 |
| 2-5-4 外延表面平坦化 | 第24-25页 |
| 第三章 表面再构与高能电子衍射 | 第25-31页 |
| §3-1 再构表面 | 第25-26页 |
| §3-2 表面再构与RHEED图案 | 第26-29页 |
| 3-2-1 正空间(真实)点阵与倒易点阵 | 第26-27页 |
| 3-2-2 表面再构与RHEED图案 | 第27-29页 |
| §3-3 生长时的高能电子衍射 | 第29-31页 |
| 第四章 GaAs(001)同质外延薄膜生长研究 | 第31-43页 |
| §4-1 GaAs(001)再构表面 | 第31-35页 |
| 4-1-1 GaAs(001)表面再构 | 第31-33页 |
| 4-1-2 静态表面相图 | 第33-34页 |
| 4-1-3 动态表面相图 | 第34-35页 |
| §4-2 外延生长与薄膜测试分析 | 第35-43页 |
| 4-2-1 不同再构相内的同质外延生长 | 第35-37页 |
| 4-2-2 外延薄膜测试与分析 | 第37-43页 |
| 第五章 生长GaAs(111)B镜像外延薄膜 | 第43-59页 |
| §5-1 GaAs(111)B概述 | 第43-44页 |
| 5-1-1 GaAs(111)B材料 | 第43页 |
| 5-1-2 GaAs(111)B材料的应用 | 第43-44页 |
| §5-2 GaAs(111)B的清洗 | 第44-50页 |
| 5-2-1 GaAs(111)B面粘污的清洗 | 第44-45页 |
| 5-2-2 H_2SO_4-H_2O_2-H_2O湿法腐蚀GaAs原理与特性 | 第45-46页 |
| 5-2-3 GaAs(111)B腐蚀体系与腐蚀特征 | 第46-48页 |
| 5-2-4 镜像GaAs(111)B表面腐蚀 | 第48-50页 |
| §5-3 GaAs(111)B表面相图 | 第50-53页 |
| 5-3-1 静态表面相图 | 第50-52页 |
| 5-3-2 动态表面相图 | 第52-53页 |
| §5-4 生长镜像外延表面 | 第53-59页 |
| 5-4-1 不同开始再构表面的影响 | 第53-55页 |
| 5-4-2 RHEED强度振荡与外延生长研究 | 第55-58页 |
| 5-4-3 镜像外延生长 | 第58-59页 |
| 第六章 结束语 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第63页 |