| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 前言 | 第9-11页 |
| 第二章 文献综述 | 第11-33页 |
| ·引言 | 第11页 |
| ·硅的基本性质及硅的提纯 | 第11-12页 |
| ·单晶硅的制备 | 第12-13页 |
| ·直拉单晶硅中的氧 | 第13-18页 |
| ·直拉单晶硅中的空位对氧沉淀的影响 | 第18-22页 |
| ·掺氮对直拉单晶硅中氧沉淀的影响 | 第22-29页 |
| ·快速热处理工艺(RTP) | 第29-31页 |
| ·魔幻洁净区(MDZ)工艺 | 第31-33页 |
| 第三章 实验设备及实验样品 | 第33-38页 |
| ·实验设备 | 第33-37页 |
| ·实验样品的准备 | 第37-38页 |
| 第四章 单步退火条件下空位和氮对氧沉淀的影响 | 第38-53页 |
| ·引言 | 第38-39页 |
| ·实验方案 | 第39页 |
| ·实验结果和讨论 | 第39-51页 |
| ·本章结论 | 第51-53页 |
| 第五章 降温过程中空位和氮对氧沉淀的影响 | 第53-60页 |
| ·引言 | 第53页 |
| ·实验方案 | 第53-54页 |
| ·实验结果和讨论 | 第54-58页 |
| ·本章结论 | 第58-60页 |
| 第六章 总结 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-68页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69页 |