MOCVD法制备磷掺杂p型ZnO薄膜
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 前言 | 第9-12页 |
| 第二章 文献综述 | 第12-40页 |
| ·ZnO薄膜的性质 | 第12-18页 |
| ·ZnO的晶体结构 | 第13-14页 |
| ·ZnO的内部缺陷 | 第14-17页 |
| ·ZnO的电学性能 | 第17页 |
| ·ZnO的光学性能 | 第17-18页 |
| ·ZnO薄膜的制备技术 | 第18-23页 |
| ·磁控溅射技术 | 第18-19页 |
| ·脉冲激光沉积法 | 第19-21页 |
| ·分子束外延 | 第21页 |
| ·化学气相沉积 | 第21-22页 |
| ·其他生长方法 | 第22-23页 |
| ·ZnO薄膜的应用 | 第23-27页 |
| ·太阳能电池 | 第23页 |
| ·紫外光探测器 | 第23-24页 |
| ·短波光电器件 | 第24-25页 |
| ·GaN基LED中的应用 | 第25页 |
| ·表面声波器件 | 第25-26页 |
| ·集成器件 | 第26页 |
| ·其他 | 第26-27页 |
| ·p型ZnO薄膜的制备 | 第27-34页 |
| ·本征p型ZnO薄膜 | 第27-29页 |
| ·非本征p型掺杂 | 第29-34页 |
| ·Ⅰ族元素掺杂 | 第29页 |
| ·Ⅴ族元素掺杂 | 第29-32页 |
| ·共掺杂 | 第32-34页 |
| ·p型ZnO制备的难点 | 第34页 |
| ·立题依据 | 第34-37页 |
| 参考文献 | 第37-40页 |
| 第三章 MOCVD沉积系统 | 第40-50页 |
| ·MOCVD简介 | 第40-42页 |
| ·MOCVD技术的优点 | 第42-44页 |
| ·本文所用MOCVD系统 | 第44-49页 |
| ·MOCVD系统介绍 | 第44-47页 |
| ·MO源的选取及流量控制 | 第47-48页 |
| ·薄膜性能的评价 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-50页 |
| 第四章 p型ZnO薄膜的制备 | 第50-52页 |
| ·ZnO薄膜衬底的清洗 | 第50页 |
| ·ZnO薄膜的沉积过程 | 第50-52页 |
| 第五章 ZnO薄膜性能的表征 | 第52-66页 |
| ·结晶性能 | 第52-56页 |
| ·衬底类型对结晶性能的影响 | 第52-54页 |
| ·生长温度对结晶性能的影响 | 第54-56页 |
| ·电学性能 | 第56-60页 |
| ·衬底类型对导电类型的影响 | 第56-57页 |
| ·生长温度对导电类型的影响 | 第57-59页 |
| ·稳定性的研究 | 第59-60页 |
| ·光学性能 | 第60-63页 |
| ·磷的掺入 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-66页 |
| 第六章 ZnO薄膜的退火研究 | 第66-78页 |
| ·本征ZnO薄膜的退火研究 | 第66-71页 |
| ·退火温度对ZnO薄膜晶体质量的影响 | 第66-67页 |
| ·退火时间对ZnO薄膜晶体质量的影响 | 第67-69页 |
| ·退火对ZnO薄膜导电性能的影响 | 第69-71页 |
| ·ZnO：P薄膜的退火研究 | 第71-77页 |
| ·低温退火 | 第71-73页 |
| ·高温快速退火 | 第73-77页 |
| 参考文献 | 第77-78页 |
| 第七章 结论 | 第78-79页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80页 |
