| 中文摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-13页 |
| ·等离子体在科研及工业中的应用 | 第9-10页 |
| ·等离子体诊断的意义 | 第10页 |
| ·各种等离子体诊断技术的特点 | 第10-11页 |
| ·本论文工作的内容及意义 | 第11-13页 |
| 第二章 等离子体物理学及质谱诊断基础 | 第13-19页 |
| ·等离子体物理学基础 | 第13-15页 |
| ·等离子体中的反应 | 第13-14页 |
| ·辉光放电的一般性质 | 第14-15页 |
| ·高频辉光放电电位的轴向分布 | 第15页 |
| ·等离子体质谱诊断基础 | 第15-19页 |
| ·等离子体质谱诊断流分析 | 第16-17页 |
| ·等离子体质谱诊断分压强分析 | 第17页 |
| ·中性成份的质谱诊断 | 第17-18页 |
| ·质谱诊断分压强分析的实验考虑 | 第18-19页 |
| 第三章 实验系统 | 第19-22页 |
| ·实验系统的组成 | 第19页 |
| ·质谱计及工作原理 | 第19-21页 |
| ·可移动质谱取样装置 | 第21-22页 |
| 第四章 Ar等离子体空间特性的质谱诊断 | 第22-34页 |
| ·前言 | 第22-23页 |
| ·实验参数 | 第23页 |
| ·Ar等离子体的消耗率 | 第23-28页 |
| ·Ar等离子体消耗率的计算方法 | 第23页 |
| ·Ar等离子体消耗率的轴向分布 | 第23-24页 |
| ·Ar等离子体消耗率的径向分布 | 第24-26页 |
| ·压强对Ar等离子体消耗率的影响 | 第26-27页 |
| ·有无衬底时Ar等离子体消耗率的比较 | 第27-28页 |
| ·Ar~+及Ar~(2+)信号随电子能的变化 | 第28-29页 |
| ·Ar~+信号空间分布 | 第29-31页 |
| ·Ar~+信号轴向分布 | 第30页 |
| ·Ar~+信号径向分布 | 第30-31页 |
| ·总结 | 第31-34页 |
| 第五章 SiH_4等离子体空间特性的质谱诊断 | 第34-46页 |
| ·前言 | 第34页 |
| ·实验参数 | 第34-35页 |
| ·SiH_4等离子体的消耗率 | 第35-42页 |
| ·SiH_4等离子体消耗率的计算方法 | 第35-38页 |
| ·SiH_4等离子体消耗率计算公式的修正及讨论 | 第38-41页 |
| ·功率对SiH_4等离子体消耗率的影响 | 第41页 |
| ·压强对SiH_4等离子体消耗率的影响 | 第41-42页 |
| ·SiH_4等离子体消耗率的轴向分布 | 第42页 |
| ·SiH_4等离子体消耗率的径向分布 | 第42页 |
| ·SiH_4等离子体中的SiH_n(n＜4)中性基团 | 第42-44页 |
| ·功率对SiH_n(n＜4)中性基团的影响 | 第43页 |
| ·SiH_n(n＜4)中性基团的轴向分布 | 第43-44页 |
| ·结论 | 第44-46页 |
| 第六章 SiCl_4等离子体空间特性的质谱诊断 | 第46-57页 |
| ·前言 | 第46-47页 |
| ·实验参数 | 第47页 |
| ·SiCl_4等离子体的消耗率 | 第47-51页 |
| ·功率对SiCl_4等离子体消耗率的影响 | 第48页 |
| ·气压对SiCl_4等离子体的消耗率的影响 | 第48-49页 |
| ·流量对SiCl_4等离子体的消耗率的影响 | 第49-50页 |
| ·SiCl_4等离子体消耗率的轴向分布 | 第50页 |
| ·SiCl_4等离子体消耗率的径向分布 | 第50-51页 |
| ·SiCl_4等离子体中的SiCl_n(n＜3)中性基团 | 第51-55页 |
| ·功率对SiCl_n(n＜3)中性基团的影响 | 第51-53页 |
| ·气压对SiCl_n(n＜3)中性基团的影响 | 第53页 |
| ·流量对SiCl_n(n＜3)中性基团的影响 | 第53页 |
| ·SiCl_n(n＜3)中性基团的轴向分布 | 第53-55页 |
| ·SiCl_n(n＜3)中性基团的径向分布 | 第55页 |
| ·结论 | 第55-57页 |
| 第七章 结论与展望 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 硕士期间发表论文 | 第63页 |