| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-26页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·主流半导体存储器 | 第10-17页 |
| ·静态随机存取存储器技术(SRAM) | 第10-11页 |
| ·动态随机存取存储器技术(DRAM) | 第11-12页 |
| ·浮栅存储器技术的发展 | 第12-15页 |
| ·主流半导体存储器的应用 | 第15-17页 |
| ·新型存储器技术的发展 | 第17-18页 |
| ·纳米浮栅存储器 | 第18-22页 |
| ·纳米浮栅存储器简介 | 第19页 |
| ·纳米浮栅存储器的应用前景 | 第19-20页 |
| ·高介电常数介质在纳米浮栅存储器中的应用 | 第20-22页 |
| ·本论文的工作 | 第22-23页 |
| 参考文献 | 第23-26页 |
| 第二章 以Al_2O_3为栅介质的纳米浮栅结构的研究 | 第26-41页 |
| ·引言 | 第26-29页 |
| ·Al_2O_3中埋嵌Ge纳米晶浮栅结构的制备与表征 | 第29-38页 |
| ·Al_2O_3／Al_2O_3+Ge／Al_2O_3结构的制备 | 第30-31页 |
| ·Al_2O_3／Al_2O_3+Ge／Al_2O_3结构的表面分析 | 第31-32页 |
| ·Al_2O_3／Al_2O_3+Ge／Al_2O_3结构的电学特性分析 | 第32-38页 |
| ·小结 | 第38-39页 |
| 参考文献 | 第39-41页 |
| 第三章 HfO_2中埋嵌Ge纳米晶结构的制备与表征 | 第41-78页 |
| ·引言 | 第41-42页 |
| ·HfO_2／HfO_2+Ge／HfO_2结构的制备与表征 | 第42-57页 |
| ·HfO_2／HfO_2+Ge／HfO_2结构的制备 | 第42-43页 |
| ·表征结果与讨论 | 第43-53页 |
| ·衬底加温条件下生长Ge纳米晶 | 第53-57页 |
| ·以HfO_2／SiO_2堆栈为隧穿层的MIS浮栅结构的研究 | 第57-67页 |
| ·HfO_2／HfO_2+Ge／HfO_2／SiO_2结构的制备 | 第57页 |
| ·HfO_2／HfO_2+Ge／HfO_2／SiO_2体系的结构表征 | 第57-60页 |
| ·HfO_2／HfO_2+Ge／HfO_2／SiO_2结构的电学表征 | 第60-64页 |
| ·HfO_2／HfO_2+Ge／HfO_2／SiO_2结构光学特性的研究 | 第64-67页 |
| ·含双层Ge纳米晶浮栅结构的研究 | 第67-73页 |
| ·HfO_2栅介质中埋嵌双层Ge纳米晶的浮栅结构的制备 | 第67页 |
| ·退火条件对Ge纳米晶生成的影响 | 第67-73页 |
| ·本章小结 | 第73-76页 |
| 参考文献 | 第76-78页 |
| 第四章 以ZrO_2为栅介质的纳米浮栅结构的研究 | 第78-87页 |
| ·引言 | 第78页 |
| ·ZrO_2／ZrO_2-I-Ge／ZrO_2结构的制备 | 第78-79页 |
| ·ZrO_2／ZrO_2+Ge／ZrO_2体系的结构表征 | 第79-81页 |
| ·ZrO_2／ZrO_2+Ge／ZrO_2体系的电学表征 | 第81-85页 |
| ·小结 | 第85-86页 |
| 参考文献 | 第86-87页 |
| 第五章 总结与展望 | 第87-91页 |
| ·总结 | 第87-88页 |
| ·展望 | 第88-90页 |
| 参考文献 | 第90-91页 |
| 发表论文目录 | 第91-92页 |
| 致谢 | 第92-94页 |
| 简历 | 第94-95页 |
| 附件 | 第95页 |
