| 第一章 绪论 | 第1-35页 |
| 1． 1 ZnO的性质和用途 | 第9页 |
| 1． 2 ZnO的研究进展 | 第9-12页 |
| 1． 2． 1 结构性能的研究 | 第9-10页 |
| 1． 2． 2 发光性能的研究 | 第10-12页 |
| 1． 2． 3 电学性能的研究 | 第12页 |
| 1． 3 ZnO中的缺陷和杂质 | 第12-20页 |
| 1． 3． 1 本征ZnO中的缺陷 | 第12-15页 |
| 1． 3． 2 ZnO中的杂质缺陷 | 第15-20页 |
| 1． 4 p型ZnO及ZnO基p-n结的研究进展 | 第20-28页 |
| 1． 4． 1 以Ⅴ族元素为受主源 | 第21-24页 |
| 1． 4． 2 以Ⅰ族元素为受主源 | 第24-25页 |
| 1． 4． 3 施主与受主共掺 | 第25-27页 |
| 1． 4． 4 ZnO基异质p-n结的制备 | 第27-28页 |
| 1． 5 本文的目的及研究内容 | 第28-29页 |
| 参考文献 | 第29-35页 |
| 第二章 直流反应磁控溅射制备Al-N共掺ZnO薄膜 | 第35-42页 |
| 2． 1 S型枪直流反应磁控溅射设备 | 第35-37页 |
| 2． 2 溅射靶材 | 第37-38页 |
| 2． 3 ZnO薄膜生长衬底的选择和清洗 | 第38页 |
| 2． 4 S型枪直流反应磁控溅射制备ZnO薄膜的工艺 | 第38页 |
| 2． 5 ZnO薄膜物理性能测试 | 第38-40页 |
| 2． 5． 1 物相组成与结构的表征方法 | 第38页 |
| 2． 5． 2 表面形貌、晶粒尺寸和膜厚的测试方法 | 第38-40页 |
| 2． 5． 3 薄膜的成分以及各元素化学态的测试 | 第40页 |
| 2． 6 ZnO薄膜电学性能测试 | 第40页 |
| 2． 7 ZnO薄膜光透射谱测试 | 第40页 |
| 2． 8 Ⅰ-Ⅴ特性测试 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-42页 |
| 第三章 共掺ZnO薄膜的组织结构 | 第42-53页 |
| 3． 1 薄膜中元素的成分 | 第42-45页 |
| 3． 2 ZnO薄膜中晶粒的取向性 | 第45-47页 |
| 3． 2． 1 溅射靶材中Al含量对取向性的影响 | 第45页 |
| 3． 2． 2 生长气氛中N_2O分压比对取向性的影响 | 第45-46页 |
| 3． 2． 3 衬底温度对取向性的影响 | 第46-47页 |
| 3． 3 ZnO薄膜的表面形貌 | 第47-51页 |
| 3． 3． 1 靶材中Al含量对表面形貌的影响 | 第47-48页 |
| 3． 3． 2 衬底温度对表面形貌的影响 | 第48-50页 |
| 3． 3． 3 生长气氛中N_2O分压比对表面形貌的影响 | 第50-51页 |
| 3． 4 ZnO薄膜的截面形貌 | 第51页 |
| 3． 5 小结 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-53页 |
| 第四章 共掺ZnO薄膜的电光学性能 | 第53-71页 |
| 4． 1 共掺与非共掺对电光学性能的影响 | 第53-55页 |
| 4． 2 衬底温度对电光学性能的影响 | 第55-61页 |
| 4． 2． 1 衬底温度对薄膜导电类型和载流子浓度的影响 | 第56-58页 |
| 4． 2． 2 衬底温度对ZnO薄膜迁移率的影响 | 第58-59页 |
| 4． 2． 3 衬底温度对ZnO薄膜电阻率的影响 | 第59-61页 |
| 4． 2． 4 衬底温度对ZnO／glass薄膜光学性能的影响 | 第61页 |
| 4． 3 生长气氛中N_2O分压比对ZnO薄膜电光学性能的影响 | 第61-64页 |
| 4． 3． 1 N_2O分压比对ZnO薄膜导电类型和载流子浓度的影响 | 第62-63页 |
| 4． 3． 2 N_2O分压比对ZnO薄膜迁移率和电阻率的影响 | 第63页 |
| 4． 3． 3 N_2O分压比对ZnO／glass薄膜光学性能的影响 | 第63-64页 |
| 4． 4 溅射靶材中Al含量对电光学性能的影响 | 第64-68页 |
| 4． 4． 1 靶材中Al含量对ZnO薄膜导电类型和载流子浓度的影响 | 第65-67页 |
| 4． 4． 2 靶材中Al含量对ZnO薄膜迁移率的影响 | 第67-68页 |
| 4． 4． 3 靶材中Al含量对ZnO／glass薄膜光学性能的影响 | 第68页 |
| 4． 5 小结 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-71页 |
| 第五章 ZnO同质p-n结的制备 | 第71-84页 |
| 5． 1 p型和n型ZnO薄膜与In-Zn合金间的欧姆接触性能 | 第71-77页 |
| 5． 1． 1 欧姆接触测试用单层n型和p型ZnO薄膜的制备 | 第72-73页 |
| 5． 1． 2 ZnO薄膜表面In-Zn合金电极的制备 | 第73-74页 |
| 5． 1． 3 退火前电极和薄膜的欧姆接触性能 | 第74页 |
| 5． 1． 4 O_2中退火 | 第74-75页 |
| 5． 1． 5 Ar气氛中退火 | 第75-77页 |
| 5． 2 p-ZnO/n-Si与n-ZnO/p-Si异质p-n结的制备 | 第77-78页 |
| 5． 3 ZnO同质p-n结的制备 | 第78-79页 |
| 5． 4 本文制备的ZnO同质p-n结与文献报道结果的比较 | 第79-82页 |
| 5． 5 小结 | 第82-83页 |
| 参考文献 | 第83-84页 |
| 第六章 p型ZnO的共掺机理 | 第84-96页 |
| 6． 1 Yamamoto的共掺理论 | 第84-86页 |
| 6． 2 Y．F．Yan的共掺理论 | 第86-87页 |
| 6． 3 共掺法制备p型ZnO的机理探讨 | 第87-94页 |
| 6． 3． 1 载流子浓度 | 第87-89页 |
| 6． 3． 2 迁移率 | 第89-94页 |
| 6． 4 小结 | 第94-95页 |
| 参考文献 | 第95-96页 |
| 第七章 结论 | 第96-98页 |
| 致谢 | 第98-99页 |
| 博士期间发表的论文 | 第99-100页 |
