| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstracts | 第4-6页 |
| 目录 | 第6-9页 |
| 1 前言 | 第9-12页 |
| 2 文献综述 | 第12-42页 |
| §2．1 半导体硅材料 | 第12-13页 |
| §2．2 硅单晶的制备 | 第13-16页 |
| 2．2．1 区熔法(Floating zone，FZ) | 第14页 |
| 2．2．2 直拉法(Czochralski，CZ) | 第14-16页 |
| §2．3 硅中氧 | 第16-27页 |
| 2．3．1 氧的引入 | 第16-19页 |
| 2．3．2 氧的测量 | 第19-21页 |
| 2．3．3 氧的扩散 | 第21-23页 |
| 2．3．4 氧的沉淀及其影响因素 | 第23-27页 |
| §2．4 硅中的氮 | 第27-32页 |
| 2．4．1 氮的引入 | 第27-28页 |
| 2．4．2 氮的测量 | 第28-30页 |
| 2．4．3 氮对直拉硅缺陷行为的影响 | 第30-32页 |
| §2．5 内吸杂工艺 | 第32-42页 |
| 2．5．1 吸杂的类型 | 第33-35页 |
| 2．5．2 吸杂的基本规律 | 第35页 |
| 2．5．3 内吸杂工艺的研究进展及现状 | 第35-42页 |
| 3 实验设计及实验设备 | 第42-46页 |
| §3．1 实验设计 | 第42-43页 |
| §3．2 实验设备 | 第43-45页 |
| 3．2．1 常规热处理炉 | 第43页 |
| 3．2．2 傅立叶红外(FTIR) | 第43-44页 |
| 3．2．3 光学显微镜(OM) | 第44页 |
| 3．2．4 扩展电阻仪(SRP) | 第44-45页 |
| §3．3 样品的制备 | 第45-46页 |
| 4 低-高缓慢升温(L-H Ramping)处理下内吸杂工艺的研究 | 第46-62页 |
| §4．1 前言 | 第46-47页 |
| §4．2 实验基本思想及方案 | 第47-48页 |
| §4．3 实验结果与分析 | 第48-61页 |
| 4．3．1 L-H Ramping工艺中IG结构生成机理 | 第48-51页 |
| 4．3．2 高温退火温度和时间对IG结构的影响 | 第51-54页 |
| 4．3．3 起始退火温度对IG结构生成的影响 | 第54-55页 |
| 4．3．4 升温速率对IG结构生成的影响 | 第55-57页 |
| 4．3．5 L-H Ramping工艺形成的IG结构在后续热处理中的变化 | 第57-59页 |
| 4．3．6 L-H Ramping工艺中保护气氛对IG结构形成的影响 | 第59-60页 |
| 4．3．7 N对L-H Ramping工艺形成的IG结构的影响 | 第60-61页 |
| §4-4 结论 | 第61-62页 |
| 5 氧气氛保护热处理下内吸杂工艺的研究 | 第62-76页 |
| §5．1 前言 | 第62-63页 |
| §5．2 实验基本思想及方案 | 第63-65页 |
| §5．3 实验结果与分析 | 第65-75页 |
| 5．3．1 L-H Ramping退火工艺 | 第65-68页 |
| 5．3．2 H-L-H三步退火工艺 | 第68-72页 |
| 5．3．3 L-H两步退火工艺 | 第72-75页 |
| §5．4 结论 | 第75-76页 |
| 6 结论 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-89页 |
| 附录 | 第89-90页 |
| 致谢 | 第90页 |
