| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-36页 |
| ·GaN 材料的基本性质,应用及研究进展 | 第12-20页 |
| ·ZnO 材料的基本性质及其应用 | 第20-23页 |
| ·纳米材料和器件的研究概况 | 第23-33页 |
| ·选题依据 | 第33-36页 |
| 第二章 实验设备和测试方法 | 第36-40页 |
| ·实验设备 | 第36-37页 |
| ·实验中所需要的主要材料和试剂 | 第37-38页 |
| ·样品的测试和表征 | 第38-40页 |
| 第三章 射频磁控溅射和退火法制备 ZnO 薄膜 | 第40-46页 |
| ·样品的制备 | 第40页 |
| ·结果与分析 | 第40-45页 |
| ·结论 | 第45-46页 |
| 第四章 一维 GaN 纳米结构的合成 | 第46-62页 |
| ·氨化温度对 GaN 纳米结构形貌的影响 | 第46-50页 |
| ·氨化时间对 GaN 纳米结构形貌的影响 | 第50-53页 |
| ·ZnO 层溅射时间对 GaN 纳米结构形貌的影响 | 第53-54页 |
| ·样品的透射电镜(TEM)和选区电子衍射(SAED)分析 | 第54-56页 |
| ·纳米结构的高分辨电镜(HRTEM)分析 | 第56-57页 |
| ·纳米结构生长机制初探 | 第57-62页 |
| 第五章 结论 | 第62-64页 |
| ·本文的主要研究结果 | 第62-63页 |
| ·对今后工作的建议 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-71页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文目录 | 第71-74页 |
| 致谢 | 第74页 |