VLSI曝光成像效果的技术研究
| 第一章 VLSI光刻技术进展 | 第1-23页 |
| ·前言 | 第8-9页 |
| ·光学光刻技术现状及发展趋势 | 第9-11页 |
| ·先进的光学光刻技术 | 第11-17页 |
| ·下一代光刻技术展望 | 第17-21页 |
| ·结论 | 第21页 |
| ·课题工作 | 第21-23页 |
| 第二章 光刻简介 | 第23-32页 |
| ·光刻原理及工艺流程 | 第23-25页 |
| ·光学原理介绍 | 第25-26页 |
| ·光刻机系统简介 | 第26-29页 |
| ·离焦现象 | 第29-32页 |
| 第三章 曝光系统的主要性能指标及其增强技术 | 第32-41页 |
| ·分辨率 | 第32页 |
| ·焦深及相关概念 | 第32-35页 |
| ·分辨率与焦深的辨证关系 | 第35页 |
| ·分辨率增强技术 | 第35-38页 |
| ·焦深增强技术 | 第38-41页 |
| 第四章 影响光刻成像效果的因素 | 第41-55页 |
| ·薄膜简述 | 第41-43页 |
| ·晶片本身平坦度及其变化 | 第43-45页 |
| ·光刻胶本身的影响 | 第45-48页 |
| ·掩膜版与镜头的畸变 | 第48-49页 |
| ·光刻机机台特性 | 第49页 |
| ·工艺集成中的平坦化效果 | 第49-55页 |
| 第五章 光刻胶的线宽变化机理及模型 | 第55-62页 |
| ·光刻胶和工艺实际应用 | 第55-57页 |
| ·使用预测性模型来理解CD变化 | 第57-60页 |
| ·讨论 | 第60-62页 |
| 第六章 实验方案的设计及论证 | 第62-88页 |
| ·实验来源 | 第62页 |
| ·实验方案设计及实现 | 第62-63页 |
| ·晶片自身因素对曝光效果的影响 | 第63-66页 |
| ·定性实验一晶片平坦度对曝光成像效果的影响 | 第63-64页 |
| ·定性实验二晶片平坦度在工艺流程中的变化 | 第64页 |
| ·实验三晶片平坦度与曝光解析值之间的对应关系 | 第64-66页 |
| ·自动调焦及水平系统对曝光效果的影响 | 第66-75页 |
| ·实验四离焦引起的曝光不均现象模拟 | 第66-71页 |
| ·实验五FIELD内曝光不均的测试分析报告 | 第71-75页 |
| ·不同薄膜层与掩膜图形造成的曝光效果差异 | 第75-88页 |
| ·实验六不同薄膜层与不同掩膜图形下的离焦情况分析 | 第75-77页 |
| ·实验七不同薄膜层的应力变化与分辨率差异 | 第77-83页 |
| ·实验八光刻胶线宽与曝光量变化的关系 | 第83-88页 |
| 第七章 结束语 | 第88-91页 |
| 参考文献 | 第91-93页 |
| 致谢 | 第93-94页 |
| 附录 | 第94-95页 |
