| 摘要 | 第1-9页 |
| Abstract | 第9-12页 |
| 第一章 前言 | 第12-16页 |
| 1．1 立题依据 | 第12-14页 |
| 1．2 研究构思 | 第14-16页 |
| 第二章 文献综述 | 第16-48页 |
| 2．1 ZnO的基本性质 | 第16-19页 |
| 2．2 ZnO的形态结构 | 第19-22页 |
| 2．2．1 ZnO薄膜 | 第19-20页 |
| 2．2．2 ZnO纳米结构 | 第20-21页 |
| 2．2．3 ZnO体单晶 | 第21-22页 |
| 2．3 ZnO的性能与应用 | 第22-27页 |
| 2．3．1 ZnO的光电特性 | 第22-26页 |
| 2．3．2 ZnO的压电和热电特性 | 第26页 |
| 2．3．3 ZnO的铁电和铁磁特性 | 第26-27页 |
| 2．4 Zno的缺陷与掺杂 | 第27-40页 |
| 2．4．1 ZnO中的本征缺陷 | 第27-28页 |
| 2．4．2 ZnO中的非故意掺杂 | 第28-29页 |
| 2．4．3 ZnO中的施主掺杂 | 第29-30页 |
| 2．4．4 ZnO中的受主掺杂 | 第30-40页 |
| 参考文献 | 第40-48页 |
| 第一篇 直流反应磁控溅射生长ZnO晶体薄膜 | 第48-145页 |
| 第三章 直流反应磁控溅射技术实验原理 | 第49-58页 |
| 3．1 实验设备 | 第49-50页 |
| 3．2 溅射原理 | 第50-53页 |
| 3．3 实验制备过程 | 第53-55页 |
| 3．4 衬底及其清洗 | 第55-56页 |
| 3．5 性能表征 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-58页 |
| 第四章 本征ZnO晶体薄膜 | 第58-71页 |
| 4．1 原位生长ZnO薄膜 | 第58-60页 |
| 4．2 ZnO薄膜的退火处理 | 第60-67页 |
| 4．2．1 XRD分析 | 第60-63页 |
| 4．2．2 AFM分析 | 第63-65页 |
| 4．2．3 XPS分析 | 第65-66页 |
| 4．2．4 SRP分析 | 第66-67页 |
| 4．3 ZnO薄膜的退火模型 | 第67-69页 |
| 4．4 本章小结 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-71页 |
| 第五章 Al掺杂n型ZnO晶体薄膜 | 第71-86页 |
| 5．1 薄膜组分分析 | 第71-72页 |
| 5．2 结构与形貌分析 | 第72-77页 |
| 5．3 电学特性分析 | 第77-80页 |
| 5．4 光学特性分析 | 第80-84页 |
| 5．5 本章小结 | 第84-85页 |
| 参考文献 | 第85-86页 |
| 第六章 N掺杂p型ZnO晶体薄膜 | 第86-97页 |
| 6．1 生长温度的影响 | 第86-87页 |
| 6．2 NH_3浓度的影响 | 第87-91页 |
| 6．2．1 纯O_2的生长气氛 | 第87-88页 |
| 6．2．2 NH_3-O2的生长气氛 | 第88-91页 |
| 6．2．3 纯NH_3的生长气氛 | 第91页 |
| 6．3 H辅助掺杂机理 | 第91-95页 |
| 6．4 N掺杂p型ZnO的稳定性 | 第95页 |
| 6．5 本章小结 | 第95页 |
| 参考文献 | 第95-97页 |
| 第七章 N-Al共掺p型ZnO晶体薄膜 | 第97-133页 |
| 7．1 N-Al共掺p型ZnO薄膜的生长 | 第97-110页 |
| 7．1．1 N_2O含量的影响 | 第97-100页 |
| 7．1．2 生长温度的影响 | 第100-103页 |
| 7．1．3 Al含量的影响 | 第103-108页 |
| 7．1．4 N-Al共掺p型ZnO薄膜的稳定性 | 第108-110页 |
| 7．2 N-Al共掺机理 | 第110-123页 |
| 7．2．1 共掺理论的介绍与思考 | 第110-113页 |
| 7．2．2 ZnO：(N，Al)中N掺入量的提高及其分析 | 第113-117页 |
| 7．3．3 ZnO：(N，Al)薄膜的稳定性及其分析 | 第117-121页 |
| 7．3．4 共掺ZnO薄膜的迁移率 | 第121-123页 |
| 7．3 p-ZnO：(N，Al)薄膜性能的提高 | 第123-130页 |
| 7．3．1 缓冲层／膜厚对p-ZnO：(N，Al)薄膜性能的影响 | 第123-127页 |
| 7．3．2 衬底类型对p-ZnO：(N,Al)薄膜性能的影响 | 第127-130页 |
| 7．4 本章小结 | 第130-131页 |
| 参考文献 | 第131-133页 |
| 第八章 ZnO基p-n结的制备及其性能 | 第133-145页 |
| 8．1 完整的晶体薄膜体系 | 第133-134页 |
| 8．2 基于p—ZnO：N和n(i)-ZnO的p-n结 | 第134-135页 |
| 8．3 基于p-ZnO：(N,Al)和n-ZnO：Al的p-n结 | 第135-141页 |
| 8．3．1 欧姆接触特性 | 第135-137页 |
| 8．3．2 ZnO异质p-n结 | 第137-138页 |
| 8．3．3 ZnO同质p-n结 | 第138-141页 |
| 8．4 ZnO同质p-n结的性能比较 | 第141-143页 |
| 8．5 本章小结 | 第143-144页 |
| 参考文献 | 第144-145页 |
| 第二篇 固体源化学气相沉积生长ZnO材料 | 第145-181页 |
| 第九章 固体源化学气相沉积实验原理 | 第146-153页 |
| 9．1 技术发展及其命名 | 第146-147页 |
| 9．2 生长过程及其原理 | 第147-152页 |
| 9．2．1 本征ZnO薄膜 | 第149-151页 |
| 9．2．2 N掺杂ZnO薄膜 | 第151页 |
| 9．2．3 ZnO量子点结构 | 第151-152页 |
| 9．3 衬底及其清洗 | 第152页 |
| 9．4 性能表征 | 第152页 |
| 参考文献 | 第152-153页 |
| 第十章 N掺杂p型ZnO网状薄膜 | 第153-160页 |
| 10．1 生长参数对性能的影响 | 第153-157页 |
| 10．1．1 衬底温度的影响 | 第153-155页 |
| 10．1．2 N源温度的影响 | 第155-157页 |
| 10．2 N掺杂p型ZnO薄膜的性能 | 第157-158页 |
| 10．3 本章小结 | 第158页 |
| 参考文献 | 第158-160页 |
| 第十一章 (100)取向ZnO纳米颗粒薄膜 | 第160-171页 |
| 11．1 生长参数的优化 | 第160-165页 |
| 11．2 生长机理 | 第165-166页 |
| 11．3 性能表征与分析 | 第166-170页 |
| 11．3．1 XPS分析 | 第166-167页 |
| 11．3．2 AFM分析 | 第167-168页 |
| 11．3．3 SEM分析 | 第168页 |
| 11．3．4 光学特性分析 | 第168-170页 |
| 11．4 本章小结 | 第170页 |
| 参考文献 | 第170-171页 |
| 第十二章 ZnO量子点结构 | 第171-179页 |
| 12．1 性能表征与分析 | 第171-176页 |
| 12．1．1 SEM分析 | 第171-173页 |
| 12．1．2 EDS分析 | 第173页 |
| 12．1．3 XRD分析 | 第173-174页 |
| 12．1．4 光学性能分析 | 第174-176页 |
| 12．2 生长机理的探讨 | 第176-178页 |
| 12．3 本章小结 | 第178页 |
| 参考文献 | 第178-179页 |
| 第十三章 结论 | 第179-181页 |
| 致谢 | 第181-182页 |
| 博士期间论文和专利一览表 | 第182-184页 |
